荷兰光刻机巨头ASML近日宣布，将优先向其客户Intel交付新型高数值孔径（High NA EUV）的极紫外光刻机。这款设备成本超过3亿美元，将帮助计算机芯片制造商生产更小、更快的半导体产品。
据了解，这款高数值孔径的极紫外光刻机组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输，其中包括13个大型集装箱。
据悉，这款光刻机将从2026年或2027年起应用于商业芯片制造。金属间距缩小到30nm以下后，就需要使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助，这不仅会增加成本，还会降低良品率。
据公开资料显示，NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标之一，直接决定了光刻的实际分辨率以及最高能达到的工艺节点。一般来说，在5nm以上工艺节点下，低数值孔径光刻机的分辨率就无法满足要求了。因此，在这种情况下，使用更高数值孔径的光刻机成为必需。
值得一提的是，ASML 9月份曾宣布，将在今年底发货第一台高数值孔径EUV光刻机型号"Twinscan EXE:5000"。这款设备可制造2nm工艺乃至更先进的芯片。
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