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12伏鹵素燈電路圖

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发表于 2021-3-8 17:02:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 redhill 于 2021-3-9 05:59 编辑

壓敏電阻
突波吸收器(壓敏電阻)  ZINC  OXIDE VARISTOR  
完整型號是HEL-7D471K。

7代表尺寸,為壓敏電阻閥片的直徑為7mm。D代表壓敏電阻閥片為圓形。

471K代表壓敏電壓值,47*10的1次方=470,即壓敏電壓為470V。

K 代表壓敏電阻的誤差——10%

“壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件,主要用於在電路承受過壓時進行電壓鉗位元,吸收多餘的電流以保護敏感器件。英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”, 或者叫做“Varistor"。壓敏電阻器的電阻體材料是半導體,所以它是半導體電阻器的一個品種。現在大量使用的"氧化鋅"(ZnO)壓敏電阻器,它的主體材料有二價元素鋅(Zn)和六價元素氧(O)所構成。所以從材料的角度來看,氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導體”。 在中國臺灣,壓敏電阻器稱為"突波吸收器",有時也稱為“電衝擊(浪湧)抑制器(吸收器)”。

壓敏電阻是一種限壓型保護器件。利用壓敏電阻的非線性特性,當過電壓出現在壓敏電阻的兩極間,壓敏電阻可以將電壓鉗位元到一個相對固定的電壓值,從而實現對後級電路的保護。

當加在壓敏電阻上的電壓低於它的閾值時,流過它的電流極小,它相當於一個阻值無窮大的電阻。也就是說,當加在它上面的電壓低於其閾值時,它相當於一個斷開狀態的開關。

當加在壓敏電阻上的電壓超過它的閾值時,流過它的電流激增,它相當於阻值無窮小的電阻。也就是說,當加在它上面的電壓高於其閾值時,它相當於一個閉合狀態的開關。

壓敏電阻的主要參數有:壓敏電壓、通流容量、結電容、回應時間等。

HEL 廣東鴻志電子科技有限公司

成立於1993年,位於汕頭,生產壓敏電阻、NTC熱敏電阻、陶瓷電容和金屬化薄膜電容。




雙向觸發二極體

雙向觸發二極體(DIAC)屬三層結構,具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控矽,在電路中作過壓保護等用途。

Two-way trigger diode (DIAC(Diode For Alternating Current)) is a three-layer semiconductor device with symmetry. It is often usedto trigger bidirectional thyristor, and is used for overvoltage protection incircuits.



雙向觸發二極體正、反向伏安特性幾乎完全對稱(見圖5)。當器件兩端所加電壓U低於正向轉折電壓V(B0)時,器件呈高阻態。當U>V(B0)時,管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U大於反向轉折電壓V(BR)時,管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應小於2伏。雙向觸發二極體的正向轉折電壓值一般有三個等級:20-60V、100-150V、200-250V。

The forward and reversevolt-ampere characteristics of the bidirectional trigger diode are almostcompletely symmetrical (see Figure 5). When the voltage u applied across thedevice is lower than the forward turning voltage V(B0), the device presents ahigh impedance state. When U>V(B0), the tube breaks down and enters thenegative resistance zone. Similarly, when u is greater than the reverse turningvoltage V(BR), the tube can also enter the negative resistance region. Symmetryof turning voltage is expressed by △V(B). △V(B)=V(B0)-V(BR)。 Generally, △V(B) should be less than 2 volts. Generally, the forward turning voltageof the bidirectional trigger diode has three levels: 20-60V, 100-150V and200-250V.

正宗的DIAC由矽NPNPN五層結構四個PN結組成,為了降低成本,小功率DB3大多採用NPN三層結構,用DO-35封裝的雙向觸發二極管,天藍色塗裝,其大小與1N4148開關二極管相同。還有使用TO-92封裝的DIAC。



DO-41封裝, 長6mm 左右, 直徑3mm.  1N4728 ~ 1N4764 系列. 散裝一般 250pcs/包。do-41內外徑較大,引線也較粗,散熱較好,用以封裝1.0w較大晶片。

DO-35封裝, 長 4mm 左右, 直徑 < = 2mm.1N5225  ~ 1N5267 系列. 散裝一般 500pcs/包。do-35內外徑較小,引線也較細,封裝0.5w或是更小的晶片。

穩壓二極體,英文名稱Zener diode,又叫齊納二極體。利用pn結反向擊穿狀態,其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象,製成的起穩壓作用的二極體。

此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很小的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定,穩壓二極體是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。穩壓二極體可以串聯起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯就可獲得更高的穩定電壓。

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 楼主| 发表于 2021-3-8 17:06:01 | 显示全部楼层
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