本网氮化镓充电器有拆的吗

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自己去Ti，infineon等具有GaN器件的厂商的官网去看看Datasheet，看看GaN和以前那些老掉牙的高压MOSFET有什么区别你马上就明白了。
看看栅极电容，密勒电容，再看看开启时栅极充电量就知道啦，GaN可比一般的高压MOSFET好得多。同时再关注一下开启和关闭延迟，上升和下降时间，你又会发现，GaN的反应比一般的高压MOSFET又好不少。
为什么强调一般的，高压的MOS呢？因为MOSFET耐压做的越高，各项其它参数就越拉跨，对于MOSFET来说，可不只有耐压和耐流，对于开关器件来说开关速度和驱动难度更加重要；此外，传统的MOSFET型号与GaN对比本质上是新一代MOSFET和老一代的对比。因为新一代的MOSFET，在提升性能方面，使用GaN是一种方法，使用SiC也是一种方法，继续优化传统硅基半导体材料还是一种方法。在这些方法中，它们最终的结果都肯定好于老的型号，但它们之间的优劣就很难说。

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另外有一点LZ说对了，确实变得只是MOSFET，和一些电路构成。但是变压器还是的有，驱动芯片，电容，这些，光看表面确实没有什么神奇的。
不过要注意的是，以前的架构，反激也只是一般的硬开关反激，整流也只是普通的肖特基二极管整流。现在的架构可以使用有源钳位的正激，准谐振的反激，降低开关损耗；现在的架构还使用了同步整流降低整流损耗。再加上理想的功率开关器件，最终充电器的功率密度变得非常大，发热比以前还低。
如上所述，充电器的发展并不是单一因素促成的。