NMOS管焦耳小偷电路和三极管的波形和温度测试

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你试试用耗尽型FET，可以极大地降低极限工作电压。
因为耗尽型FET即使在0偏的情况下也能有工作电流。
对了，对于那个FET电路，你可以直接去掉那两个电阻，效率应该可以更高。
对于FET，不需要限流，因为FET是压控器件。那个10K的电阻也没啥必要。都可以优化掉。

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然后关于这个电路，如果不考虑用IC的话，要想增加亮度只能通过设法增加振荡器的占空比解决。
从波形上看，电感电流好像有点不太够，占空比低了，使得电感释能的时候电压跌落比较明显，如果电感电流够的话，应该可以看到一个比较规矩的方波。所以可以试试用几个FET组成振荡器，然后推动一个导通内阻低的FET，理论能增加输出功率。