TLC U盘的真正优势 上SM2258H 读写500 480 最大实现2T U盘

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TLC嘛，用久了要是闲置太长时间不通电等着数据丢失。
正好U盘确实是不常使用的东西，并不靠谱。

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88361682 发表于 2019-7-13 10:32
现在是3D TLC工艺 不是当年的2D TLC 无论是PE还是误码率变化都很大 你去翻阅B17的规格书和资料就知道了 3D ...

这里面的数据是有问题的，不要太乐观！
最简单的，1次擦写保存一千年，这是不可能的。目前广泛用于小型嵌入式系统的或者MCU片内的老制程FLASH最高承诺的数据保存年限也不超过一百年。你这种SSD上用的新制程FLASH绝缘结构薄了多少没点B数吗？能达到宣称的10年标准就不错了，一千年，怕是活在梦里！
此外，TLC SSD最重要的就是数据刷新机制。TLC电平细分多，本身漏电大，也易受干扰。主控在特定时间一般都会做数据刷新操作，防止真正去读太老的数据时候出现不断纠错降低速度，这点三星有过前车之鉴了。如果太久不通电，主控就没有机会刷新数据，到时会别说你的数据，就连SSD本身的底层文件表也要丢失，就坏盘了。

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目前TLC就是垃圾，真的没那么靠谱。只是说一般的消费级场合基本碰不到它底线罢了。如果你有特殊需求，最好的选择依然是MLC。

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88361682 发表于 2019-7-13 23:28
然后再对比一下2D和3D的结构

论文的理想情况根本不具备现实意义，而且那只是作者在Abstract中顺带一提，他是不是喝多了，多写了一个0还不好说，什么型号，什么温度，什么纠错算法，是否筛选过，是典型值还是某个极端值，模拟实验是否可信等，都不好说。这么说吧，闪迪有个时光宝盒产品，也就敢说保持100年，还卖得贼贵。所以说哪还有比这更好的FLASH呢？。立体堆叠只是放大了制程，让制程倒退可以增加闪存留住电子的能力，减少临近单元干扰罢了。但是TLC的电平就要细分8个区间，非常窄，为了降低FLASH制程，各种手段用尽，结果19nm的寿命像屎一样。就算再怎么优化，能比闪迪宝盒时间长一倍就了不起了。
再说啥都是虚的，有本事搞到数据手册看看，是不是这块FLASH真的有这种寿命和数据保存能力，是不是再常温下还是在超低温下。不然直接盖棺定论有混淆试听嫌疑。反正基本是不可能的。

la45088d1

论文的理论研究的结论是一回事，实际产品的理论表现又是一回事，实际应用再是一回事。这样下来，都不知道打多少折扣。:titter: