同步整流实践，给小朋友做一个演示发电的装置

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4MOS 全桥整流，我的是这么搞的

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家有开心果 发表于 2024-2-21 14:51
用TI的仿真，你这个图输出不对，不是全波整流。

那么问题来了，信multisim，还是信TI。就4个mos2个电阻，jlc免费打个板子测一下就行。
类似这样的。

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家有开心果 发表于 2024-2-22 09:46
你图上的型号不对，全是NMOS,要有2个是PMOS.

仔细看符号里边箭头的方向。一个左一个右，如果看不起搜一下型号文档。

我知道你懒得搜，我替你搜了

另外，PMOS做高边开关，NMOS做低边开关。因为同功率NMOS比PMOS便宜，所以很多功率电路选用NMOS做高边开关，当NMOS做高边开关时，需要一个自举电容Cboot，用于给NMOS开通提供Vgs。类似这样

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飞菜鸟 发表于 2024-2-17 22:13
感觉这样的同步整流电路有问题。如果按楼主描述的原理，这整流电路的效果是不是通过场管的寄生二极管整流出 ...

不是的

假设正半周。
通过体二极管导通电压使R1上为高，因为体二极管压降0.7V，则V1输出~10V，则R1高边是9.3V，此时Q2 Vgs= 0 - 9.3V    Q2导通，导通电阻Ron ≤50mΩ，Q2的体二极管下班。
通过体二机管导通电压使R2下为低，因为体二极管压降0.7V，则V1输出~ 0V， 则R2低边是0.7V，此时Q3 Vgs= 10 - 0.7V  Q3导通，导通电阻Ron≤40mΩ，Q3的体二极管下班。
Q1 Vgs = 0-0.7V，截止。Q4 Vgs = 10-9.3V，截止。。。所以，正半周整流压降几乎为0V，开光二极管一般是0.5~0.7V。导通电阻很小。
负半周 反过来就行，两边电路对称。。。。然后，你把体二极管去掉，用R1R2分析，上边的过程一样能说通。。并且因为掺杂工艺问题，不可能完全消除体二极管。
所以，这个4mos全桥整流比桥堆压降小，功耗小，就是mos贵点点。。。
NXP公司的TE2209T 专用4 NMOS全桥整流控制器，原理接近。不过上边用了NMOS多了，自举电容Chl Chr。专用控制器应该多了一些保护功能，比自己的违建安全点。