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[SMI] SM2246全盘写入后清空算2次写入?

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发表于 2020-9-26 22:52:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 技术宅小唐 于 2020-9-26 23:02 编辑

写入编程算一次,TRIM相当于把之前写了数据但被删除标记E5H的块重新填0XFF或者0X00,也就是相当于又写了一遍,所以写入又增加了238G正常啊,头一次用46EN么、
另外科普一下 NAND Flash 的工作方式,写入字节前要擦除 才能写入,擦除以Block为最小单位,但是填充的数据不满一个Block时,其余空白的地方会填FF/00、
如果当前这个block内存在有效的数据,则主控会先读取出来, 找到一个没有有效数据的block然后擦除, 然后把读取的数据写入这个block,再把已经读取完的block擦除填FF/00...
实际闪存的编程/写入过程是一个很复杂的步骤,还有交错以及ECC编解码等等过程,这里也就简单说一下,也就是俗称主控读写算法、
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