坛里大佬除了卖盘捞金能不能多给小白科普一下基础，别让那么多小白在网上打着数码之家论坛来的旗号在那丢人

技术宅小唐 · 发表于 2021-4-25 16:35:11

本帖最后由技术宅小唐于 2021-4-25 16:50 编辑

模拟SLC还真是为了延长TLC寿命....

我用B27A简单解释一下吧、
看手册，这个B27A制程的TLC且确认是没有SLC空间的，它的SLC是模拟的 1基准7浮动
TLC模式2000PE，SLC模式40000PE

假设容量是128GB，PE是2000，没有模拟SLC的情况下，理论写入量=128G x 2000=256TB（注意是理论值，总的可写入量）

而实际使用情况是，被写入的数据大多数是热数据，会很快就被删除掉，比如虚拟内存和休眠文件，以及看视频时的缓存，视频剪辑时的二缓等等，游戏时的渲染文件和纹理文件等等等、

典型例子就是迅雷，下载一个1GB的文件以1MB/S下载的时候，每下载16MB的文件数据，就会剪辑读取已下载的部分然后再写入到SSD里，我测试过1GB的文件实际能对SSD发起6G多的写入，而实际最终只要对NAND写入1GB、
再一个就是虚拟内存，这个懂的都懂，我就不详细写了

也就是说对SSD写入的大部分数据是临时性的，不需要写到NAND里、
于是就有了模拟SLC这个玩意儿，相当于创建一个储存池，动态热数据暂时写入到这个“存储池”里操作复制删除等，当到达一定时间且没有操作的数据才会被转储到TLC里面，尽可能减少对TLC的写入（延长使用寿命，再一个就是少量数据不卡读写）
这个操作模式类似前几年的迅盘+机械的混合模式和固态机械硬盘（即机械硬盘有一个固态小分区），和傲腾32GB+1TB QLC那个原理基本一样
目的就是降低非冷数据的写入，得以快速响应

开启模拟SLC时，3GB的TLC=1GB的模拟SLC，这个是常识希望您能理解
以下是理想情况，大量的动态热数据和冷数据混合写入：
当如果开启了6GB SLC 时，理论写入量=（6 x 40000）+（（128-（3 x 6）x 2000）=240+220= 680TB（注意是理论总的可写入量）

当如果开启了20GB SLC 时，理论写入量=（20 x 40000）+（（128-（3 x 20）x 2000）=800+128=928TB（注意是理论总的可写入量）

当如果开启了全盘pSLC时，理论写入量= 40 x 40000=1600TB（注意是理论总的可写入量）

也就是说6GB模拟SLC的寿命直接可以扛起写入寿命的大旗，而且模拟SLC能减少很多实际不需要写入的热数据，最终目的就是延长TLC寿命

现在明白为什么2258XT发布的时候号称能提升3倍的NAND耐久度了么，其实就是全盘模拟SLC....
但是有一说一，全盘模拟SLC真的稳，TLC漏电的烂片开全盘SLC跑的很欢

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对于一些同学不理解冷热数据的概念，就会认为写入模拟SLC的数据最后都会写入到TLC里，而减去模拟SLC后的TLC空间更少所以寿命也更少、
其实就是一知半解而已，厂家都做多少年研究了，早就研究透了、以至于现在是根据可用空间的动态模拟SLC了、
但是上面说了，这个是大多数是SSD的使用行为习惯，换句话说厂商也不想被售后拖累，被售后踏破门槛不是么
三星 INTEL 东芝等几乎所有的顶级SSD厂商都在用这项技术，换句话说，您的想法还能比年薪百万的攻城狮更具有先进性？
不要搞得别人以为数码之家和那个PCEVA论坛一个傻样的，什么原理都没搞明白看几个网站就说氮化硅工艺的NAND晶圆已经大规模量产...还来跟我抬杠...我说这帮人用氮化硅工艺后需求的电压是多少V都答不上来....所以这技术层次的东西很难去科普，就算科普可也很难去吸收理解