分享一下收集的十多款TF卡的跑分数据以及读取TF卡S.M.A.R.T.信息的方法

技术宅小唐

不存在江版闪迪，那都是假卡，CID读出值为0x000082 0x000083 0x00009c 0x0000ad ，代号JT SO LS NC都是江波龙产，
真闪迪有且只有0x000003 代号SD少部分PT，除此之外都是假闪迪

江波龙一贯处理j降级和good die所以它家的卡体质一直很迷，跟抽奖一样

现在常见的主控 SM2702  2703 2705 2707（性能2<3<5<7），还有得一微YS628X，得一微这个主控最喜欢用QLC开pSLC所以主控用它的卡读写贼快，但是体质很迷（QLC）

另外smart可预设编程，所以你读取出来的NAND ID不一定是真实值，比方说东芝1Z TLC都是14*18封装 晶圆很大，但是TF能塞下就tm不对、而且闪迪就没有1Z sMLC这个制程，只有1Z MLC/15 nm MLC
软件读取仅供参考，至于B17A叠512GB那么需要8个die，据我所知SM2705是1CH 4CE 最大256，2707才是2CH 8CE最大2TB，所以你那个雷克沙读取值也是有问题的，绝逼有问题

技术宅小唐

TF卡受制于芯片面积和功耗以及片内SRAM容量，都没有全局均衡磨损算法的，TF卡晶圆就那么点面积，想做到SSD主控那样实现全局写入均衡磨耗算法的那所需要的算力和SRAM（全局均衡写入需要复杂的流程和主控算力以及block Cache，以B17制程最小块都超过了32MB），参考eMMC/UFS的大小，且已知这俩玩意才有全局均衡磨耗算法（已写入的部分会搬动），也可以买个sm3350U盘体验一下一个完整微型SSD的功耗和发热…现实是绝大部分的TF SD卡都是非全局均衡磨耗算法，存储目标是照片和视频等等连续大文件，所需算力要求低，还省SRAM，综合成本就低了，且功耗低，对电源要求自然就低了，发热量就小了，即已写入的数据不动，只反复写空白区域，不然你那么小的晶圆面积，塞颗cortexr3，还得塞sram，这么多晶体管就得用14nm工艺，这都是钱啊，TF出货量还大，我从事存储行业的这些东西我跟你说吧，不可能的，还全局均衡磨损，更不可能了，那么耐用还不坏，消费者怎么去买新的？而且TF SD 用的NAND都是分筛下来的东西，足容不漏电的都去封闪存 emmc  UFS出货了，不足容漏电的就去做降级eMMC UFS（国内已经能做eMMC eMCP UFS uMCP了）和TF尤其是江波龙这种，据我所知江波龙在2018年就是给三星处理不良Die的，靠三星吃的还不错，2021年疫情时期竟然有钱搞了eMMC eMCP uMCP产线了，而且2021年江波龙出过一款闪迪bics4 +点序主控的64G TF卡，出厂价才16人民币，可想而知主控成本得多便宜，我看你mps 我就猜到了，要么点序要么得一微的主控，更不可能有全局均衡磨损了