三星被曝最快 2024 年底前开始安装首台 High-NA EUV 光刻机

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首尔经济日报昨日（8 月 15 日）报道，三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期间，安装首台来自 ASML 的 High-NA EUV 光刻机，并预估 2025 年年中投入使用。

报道称三星将在其华城园区内安装首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，主要用于研发目的，开发用于逻辑和 DRAM 的下一代制造技术。

三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻设备外，三星还与日本 Lasertec 公司合作开发专门用于 High-NA 光掩膜的检测设备。

IT之家援引 DigiTimes 报道，三星已经购买了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜检测工具 Actis A300。

三星电子半导体研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上表示：“与传统的 [EUV 专用工具] 相比，使用 [High-NA EUV 专用工具] 检测半导体掩膜可将对比度提高 30% 以上”。

报道还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司合作，准备在 2027 年之前将高纳 EUV 工具投入商业应用。

三星还与新思科技（Synopsys）合作，在光掩膜上从传统的电路设计转向曲线图案。这一转变有望提高电路压印在晶片上的精度，这对进一步完善工艺技术至关重要。