铠侠正开发 10M IOPS 超高随机性能 XL-FLASH SSD，计划明年出样

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IT之家 6 月 6 日消息，NAND 闪存巨头铠侠 KIOXIA 当地时间昨日于公司战略会议宣布了其在 AI 时代的中长期增长战略，其中提到该企业正开发一款面向 AI 应用超高速度、超强性能需求的固态硬盘。

这款 SSD 将结合 XL-FLASH 高性能 SLC NAND 和新的固态硬盘主控，在随机读取中可提供 10M IOPS，是现有企业级 TLC PCIe 5.0 SSD 水平（IT之家注：3000+K IOPS）的三倍。铠侠计划在明年下半年实现这一产品的出样。

而在介于存储金字塔 DRAM 和普通 NAND 间的 SCM 层级中，铠侠还计划在 2026 年下半年出样支持 CXL 的 XL-FLASH 存储产品。此外其正与南亚科技联手开发 4F2 布局的氧化物半导体 (IGZO) 通道晶体管 DRAM 内存 OCTRAM，可实现低漏电流和低功耗。

铠侠此次也分享了其 NAND 闪存路线图，未来的 BiCS 10 将达到 332L，最大容量 2Tb，接口速率可达 4800MT/s，同时读取延迟、写入功耗和比特密度方面都将得到改进。