数码之家

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

微信登录

微信扫一扫,快速登录

搜索
查看: 588|回复: 4

[业界] 半导体界惊现"技术叛徒"!三星前员工泄密18纳米芯片工艺获重刑

[复制链接]
发表于 2025-2-21 11:16:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 Meise 于 2025-2-21 11:53 编辑

当国家级核心技术成为跨企业交易的筹码,韩国法院开出了史上最重罚单——三星电子前技术主管因向某国外企业泄露18纳米DRAM工艺机密,或将面临破纪录的刑事处罚。

正文: 首尔中央地方法院近日公布一桩震动业界的商业间谍案。涉案的三星前研发团队负责人,被指控向XC输送包含18纳米DRAM核心工艺的2000余份机密文件。这项被韩国政府列为"国家核心技术"的半导体工艺,凝聚着三星耗时5年、耗资数万亿韩元的研发心血。

判决书披露,泄密者利用职务之便,通过加密U盘和云端存储分37次传输关键技术参数。这些资料直接助力XC突破DRAM量产瓶颈,使其18纳米内存芯片研发周期缩短至少两年。法院认定,该行为导致三星遭受的潜在经济损失"难以估量"。

值得关注的是,获得技术输血的XC近期动作频频。继去年底实现DDR5内存量产突破后,其产品已获微星等主板厂商认证支持。业内人士分析,此次技术泄露可能改写全球存储市场格局——这家x国存储巨头正加速逼近三星、SK海力士的专利护城河。

本案主审法官在量刑陈述中强调:"半导体产业关乎国家经济命脉,技术泄露等同资敌。"据悉,被告面临的刑期可能打破韩国商业机密案历史纪录。


本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册 微信登录

x
 楼主| 发表于 2025-2-21 11:36:43 | 显示全部楼层

不能说的
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册 微信登录

本版积分规则

APP|手机版|小黑屋|关于我们|联系我们|法律条款|技术知识分享平台

闽公网安备35020502000485号

闽ICP备2021002735号-2

GMT+8, 2025-7-22 07:24 , Processed in 0.748801 second(s), 11 queries , Redis On.

Powered by Discuz!

© 2006-2025 MyDigit.Net

快速回复 返回顶部 返回列表