求电源新原件参数

学习借鉴

dx666e场效应管参数
①开启电压VGS(th)(或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通
②夹断电压VGS(off)(或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off)时，漏极电流为零
③饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流
④输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω
⑤低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS
⑥最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM=VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当