探索SM3267AE的极限速度

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无奈大神出品的盘，三星UFS NAND转接做的，颗粒型号KLUBG4G1BD，等同于K9HFGY8S5D
4CE 16nm，闲来无事想到328x能超频，那326x应该l也行（
找到了下面这篇帖子，楼主用的是IM的颗粒，参数设的二十多，读写提升大概2:1
找到dbf文件内发现原来就是1F，改25提升不明显，遂往上尝试（
从FF，9F，50，3F，39，3A这个顺序尝试，最终发现，改的过高会只剩2.0速度，过低又不明显，39为最合适的参数
原读写仅为150/100
参考：
https://www.mydigit.cn/thread-246337-1-1.html

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yanyan171 发表于 2021-10-26 21:55
下次看看3268+闪迪MLC能不能超

我倒是有个3268+三星，还没试过
等大佬探路！

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换了村田好亿点的电感（1元1片），继续测试
结果如下....
39最好，3A都上不去.....白花钱了

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rapoo 发表于 2021-11-1 22:02
关键是稳不稳

稳，跑圈多次，均通过

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yanyan171 发表于 2021-10-26 21:55
下次看看3268+闪迪MLC能不能超

3268+Samsung 14nm 2D MLC
超成功了，方法跟3267一模一样
参数2F

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LDGY8S1E 2CE的三星+3268 三星还是牛皮的