为什么不用mos/可控硅代替继电器？

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低压mos开关速度快，内阻可达一毫欧以内（就是线阻），但耐压200V以上mos内阻就直线上升，比三极管、igbt及可控硅还大，我还在为这考虑怎么办呢？世间没有完美，但矛盾组合–壳和炮组合起来就是坦克，要是把mos或可控硅加继电器就完美了吗?高压运用半导体消火花，继电器消内阻这也是麻烦不方便，耐压60Vmos十个串联，十个led激活–大功率光耦–用光直接驱动mos串可能是方向