SK 海力士美国先进封装生产基地获美政府至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款

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8 月 6 日消息，SK 海力士与美国商务部双方已签署了一份不具约束力的初步备忘录。SK 海力士的美国先进封装厂将获得至多 4.5 亿美元（当前约 32.11 亿元人民币）直接补贴和 5 亿美元（当前约 35.68 亿元人民币）贷款。

SK 海力士还计划申请相当于合格资本支出 25% 的投资税收抵免。

SK 海力士于今年 4 月 4 日宣布，将在印第安纳州西拉斐特投资 38.7 亿美元（当前约 276.19 亿元人民币），建造适于 AI 的存储器先进封装生产基地，同时与普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。

SK 海力士的西拉斐特生产基地将拥有一条下一代 HBM 内存封装生产线，预计于 2028 年下半年开始量产。

SK 海力士首席执行官郭鲁正表示：

我们非常感谢美国商务部的支持，并很高兴能够合作见证这一转型项目的全面实现。

我们正在推进印第安纳州生产基地的建设，与印第安纳州政府、普渡大学和我们的美国业务伙伴合作，最终从西拉斐特提供领先的 AI 存储器产品。

我们期待着建立一个新的 AI 技术中心，为印第安纳州创造熟练的工作岗位，并帮助全球半导体行业建立一个更强大、更有弹性的供应链。