三星：7nm EUV工艺明年1月量产 已完成5nm研发

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　　随着 NVIDIA 宣布 7nm GPU 由三星代工，三星在晶圆代工市场上总算又拉来一个客户，如果算上之前的 IBM Power 10 以及传闻中的高通骁龙 865 订单，再加上三星自己的 7nm Exynos 芯片，三星在 7nm 节点总算有所收获了。

　　与台积电相比，三星在 7nm 及未来的 5nm 节点上确实还要落后，主要是时间进度上，台积电的 7nm 去年都量产了，海思、苹果、赛灵思以及现在的 AMD 都是台积电 7nm 的大客户。

　　日前三星在韩国又举行了新一轮晶圆代工制造论坛会议，参与的人数比之前多了 40%，超过 500 多名无晶圆厂芯片客户与会，副总晶圆代工业务的三星副总裁 Jung Eun-seung 公布了三星在半导体制造工艺上的进展。

　　根据他的消息，三星今年 9 月份将完成韩国华城的 7nm EUV 工艺生产线，明年 1 月份量产。

　　在 7nm 之后，三星还将推出 5nm FinFET 工艺，目前已经完成了技术研发，而且 5nm 被视为是最后一代 FinFET 工艺。

　　在之后的重大节点就是 3nm 了，三星率先公布了 3nm 节点将使用 GAA 环绕栅极晶体管技术，三星通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代 FinFET 晶体管技术。

　　值得注意的是，三星召开会议的这几天里，日本突然宣布制裁韩国，限制日本半导体材料、OLED 显示面板材料的对韩出口，7 月 4 日也就是今天起正式施行。

　　日本限制出口的材料主要用于半导体芯片及显示面板生产，即便是三星也要依赖日本供应商，所以这件事可能对三星影响很大。

　　目前三星官方尚未对此事发表评论，不过韩国总统国家安全办公室副主任金贤重日前会见了三星副董事长金基南，讨论日本的制裁及应对措施。