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[另类] 关于反激电源和sepic拓扑电源的疑问

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发表于 2019-3-5 00:27:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
上一贴说到,想做个移动的可调电源。

测试了34063和fp5139做成的sepic升降压电路模块。

测试的结果不是很满意,效率都不到80。

后来在群里有人说反激电源效率高。
来了兴趣。

看了下反激电源的基本拓扑。

说是从buck boost电路演变来的。

我觉得这结构有点像sepic。

xl6019数据手册给的典型sepic结构。看来看去,总觉得和反激电源比只是多了个耦合电容。

我最不喜欢的就是这个耦合电容,功率都从这个电容传递,对电容的要求很高。fp5139模块的耦合电容就是整个模块里最烫的。
所以通过电容传递能量的电路都不想用。
基本拓扑里还剩一个buck boost结构,但是输出极性是相反的,电压反馈不好弄。

既然反激拓扑和sepic拓扑看上去只是差了个耦合电容,何不去掉试试。

直接干掉fp5139模块的耦合电容。


上面是原本的样子,下面去掉耦合电容。

测试一下带负载效率。


22.4欧姆绕线珐琅电阻做负载。

先看带耦合电容的情况

输入10V,2.89A,功率28.9W。
输出22.43V,1A,功率22.43W,效率为77.61。

再看去掉耦合电容的情况。

输入10V,2.61A,功率26.1W。
输出22.44V,1A,功率22.44W,效率85.98%。
惊呆,去掉耦合电容效率居然上来了。

仅仅去掉了一个电容,效率居然上来这么多。
会不会有其它影响呢?

先看看开关管的占空比

这是带耦合电容的


这个是不带耦合电容的。

看上去并没有什么差别。


反激电源初级是需要加吸收回路的,吸收开关管断开时的电压尖峰。
看看初级电感的电压波形。

这个是带有耦合电容的,信号衰减10倍。
读出电压峰值是30V左右。

再看看去掉耦合电容的。

峰值是34V,看来也并没有高出很多。

开关mos的电压是66V的,应该是没有危险。


当然上面的波形由于设备条件限制,可能误差比较大,可能没有采集到电压尖峰。
单但在测试中也并没有出现MOS击穿的现象,也没有出现异常发热。

感觉提高的效率是从去掉的电容里来的。
装上耦合电容的话输出22.4V,1A,电容根本坚持不过5分钟,就开始有塑料的焦味出现,而且手不能碰,还要担心会不会炸掉。


后面我也用34063试了试,两个电感绕在一个磁环上,反激的接法效率是75%,加上耦合电容后效率只有六十几了。
还是搞不太清楚这两种拓扑的区别。

去掉耦合电容的fp5139模块能否安全使用。

望能有大大来解惑。

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发表于 2019-3-5 03:59:38 | 显示全部楼层
去掉耦合电容的fp5139模块应该加吸收回路,拓扑变了,不再是sepic,影响主要是调压范围有变化。
这里需要个更加理想的电容。
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发表于 2019-3-5 07:55:37 | 显示全部楼层
服了,去掉电容还叫sepic吗,你试试降压还好使吗
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 楼主| 发表于 2019-3-5 08:06:03 | 显示全部楼层
qrut 发表于 2019-3-5 07:55
服了,去掉电容还叫sepic吗,你试试降压还好使吗

去掉耦合电容就变成反激电源,降压一样稳定。5V1A效率也是85左右。
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发表于 2019-3-5 08:45:08 | 显示全部楼层
zeze10000 发表于 2019-3-5 08:06
去掉耦合电容就变成反激电源,降压一样稳定。5V1A效率也是85左右。

你对比一下二者的稳压可调范围和带载就知道区别了
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 楼主| 发表于 2019-3-5 09:00:36 | 显示全部楼层
qrut 发表于 2019-3-5 08:45
你对比一下二者的稳压可调范围和带载就知道区别了

刚才测了一下,最低电压是0.5V,5V1A时效率是72左右,没到85。最高电压是32,空载是正常的,带载1.38A,电压下降到31.4V,效率是85.19,输入是14.7V3.46A。
最高电压没看到异常,效率也正常。
降压时效率会低些,但是没感觉到明显异常。
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发表于 2019-3-5 09:29:46 | 显示全部楼层
zeze10000 发表于 2019-3-5 09:00
刚才测了一下,最低电压是0.5V,5V1A时效率是72左右,没到85。最高电压是32,空载是正常的,带载1.38A,电 ...

可能你这个板子的可调范围不宽影响不是太大,没电容是反激拓扑,反激期间一次侧电感能量只通过磁环向二次测释放能量,传输能量的介质只有变压器。有电容是sepic拓扑,反激期间一次侧不仅通过变压器传递能量,还通过对电容的充电传递能量,所以有电容会提高极限可调范围和降压时的带载能力,当然效率由于电容esr的问题也许较低~
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发表于 2019-3-5 10:11:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 邓穿石 于 2019-3-5 10:14 编辑

SEPIC对传输电容的品质要求很高,对MOS管和输出二极管的耐压要求降低。
你的情况应该是耦合电容容量小了,加大到至少Vin电容的一半,再并联个0.1的降低ESR应该能看到效率提高。SEPIC的最大优点在于输入输出不会发生贯通现象,电感电流纹波率可以做的很小,且漏感变得不重要。

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发表于 2019-3-5 10:37:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 简燕 于 2019-3-5 10:50 编辑

Fly-back是bulk-boost的演化拓扑,相对于Sepic少一道能量转化过程,在同样的电路参数情况下,Fly-back效率略高.

Sepic对主回路中电容的要求高,所有的功率都要从这个电容传递过去.可以试试用普通cbb薄膜电容,并联4个以上替代原来的主电解电容,发热现象会锐减甚至消失,效率也会提升.在200K频率下,普通电解电容基本上处在失效状态.

Fly-backd的缺点是输入端和输出端纹波大,尤其是工作在DCM模式下,功率开关管的峰值电流大,有电压尖峰.对输入输出的滤波电容要求高.

Sepic则是输入输出纹波都小,对输入输出滤波电容要求低.

另外,usb虚拟示波器频带太窄,可能看不到功率管上的尖峰电压.

对于楼主的电路图,虽然Sepic和Fly-back只是一个电容的区别,但二者能量传递方式完全不一样.

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发表于 2019-3-5 11:01:44 | 显示全部楼层
本帖最后由 vsaciol 于 2019-3-5 14:34 编辑

楼主的观点大体上是正确的,SEPIC等效于被耦合电容钳位了的flyback(其实常见的市电flyback初次级正确跨接Y电容就有点SEPIC效果,可以稍降初次级尖峰)。凑合可正常使用,拆除钳位的耦合电容后理论上应在反激的初级MOS和次级二极管分别并联尖峰吸收电路。
SEPIC要点:
1)不像buck怕主MOS短路,不像boost怕输出短路,早期Nokia的CA-100C充电线和某些车充用过该拓扑。
2)输入级电感没有被二极管阻隔,对输入级即电源友好(因此理论上也可以做交流电的PFC拓扑)。
3)自带升降压,所有关键部件要求理论耐压=Vin+Vout。
4)耦合电容参与能量传递,其ESR很重要,因此应选择耐压=Vin+Vout的MLCC电容。
5)不同于常见的拓扑,SEPIC使用的耦合电感千万不可紧密耦合(电感磁环建议各绕半边或者试验调节,理论计算很繁琐),否则是画蛇添足。
该电路板第4)和5)条是最大的败笔。

另外,拓扑变了,难搞的零点极点补偿也变了,业余使用可以不关心,但量产基本上没人用。
类似拓扑还有(其反拓扑)Zeta拓扑和理论输入输出纹波都可为0的Cuk拓扑。更是凤毛麟角,基本上只见于论文。。。
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 楼主| 发表于 2019-3-5 11:25:40 | 显示全部楼层
qrut 发表于 2019-3-5 09:29
可能你这个板子的可调范围不宽影响不是太大,没电容是反激拓扑,反激期间一次侧电感能量只通过磁环向二次 ...

可能是耦合电容太差,加上后发热特别大,能闻到焦味,整体效率也降低了。
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 楼主| 发表于 2019-3-5 11:27:11 | 显示全部楼层
邓穿石 发表于 2019-3-5 10:11
SEPIC对传输电容的品质要求很高,对MOS管和输出二极管的耐压要求降低。
你的情况应该是耦合电容容量小了, ...

耦合电容是47uf的,可能是质量太差,内阻大,发热量特别大,加上后整体效率都降低了
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 楼主| 发表于 2019-3-5 11:28:45 | 显示全部楼层
简燕 发表于 2019-3-5 10:37
Fly-back是bulk-boost的演化拓扑,相对于Sepic少一道能量转化过程,在同样的电路参数情况下,Fly-back效率略 ...

cbb电容是内阻比较小么?
大容量的cbb应该体积很大了
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 楼主| 发表于 2019-3-5 11:32:30 | 显示全部楼层
vsaciol 发表于 2019-3-5 11:01
楼主的观点大体上是正确的,SEPIC等效于被耦合电容钳位了的flyback(其实flyback初次级正确跨接Y电容就有点S ...

加高耐压的mlcc电容应该可行。
我现在想把耦合电容直接换成Y电容,不知道能否降低初级的尖峰呢。
这样初级就不用加吸收电路了。
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发表于 2019-3-5 11:42:21 | 显示全部楼层
本帖最后由 vsaciol 于 2019-3-5 11:44 编辑
zeze10000 发表于 2019-3-5 11:32
加高耐压的mlcc电容应该可行。
我现在想把耦合电容直接换成Y电容,不知道能否降低初级的尖峰呢。
这样初 ...

Y电容只是举例说明拓扑结构变形。不要使用Y电容,最优先使用MLCC,然后是无感且大电流的CBB它们的交流损耗低。
MLCC建议用拆机的,假货很多,通常是额定电压虚标,超过额定电压容量会急剧下降,虽然万用表测起来容量足。

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邓穿石 + 10 这个是专业大神

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发表于 2019-3-5 12:09:07 | 显示全部楼层
zeze10000 发表于 2019-3-5 11:28
cbb电容是内阻比较小么?
大容量的cbb应该体积很大了

普通cbb电容,,其高频特性比普通电解电容好很多,且价格低廉,缺点就是体积大.如果是定性的做试验,用4-6uf就能工作.多个并联,是因为普通cbb单个电容允许通过的电流有限.
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 楼主| 发表于 2019-3-5 13:02:13 | 显示全部楼层
简燕 发表于 2019-3-5 12:09
普通cbb电容,,其高频特性比普通电解电容好很多,且价格低廉,缺点就是体积大.如果是定性的做试验,用4-6uf就 ...

做下试验应该可以,但是真要用估计体积还是太大了
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 楼主| 发表于 2019-3-5 13:03:15 | 显示全部楼层
vsaciol 发表于 2019-3-5 11:42
Y电容只是举例说明拓扑结构变形。不要使用Y电容,最优先使用MLCC,然后是无感且大电流的CBB它们的交流损耗 ...

我是想用Y电容来减小初级尖峰电压,提高效率倒不指望。
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发表于 2019-3-5 13:28:12 | 显示全部楼层
邓穿石 发表于 2019-3-5 10:11
SEPIC对传输电容的品质要求很高,对MOS管和输出二极管的耐压要求降低。
你的情况应该是耦合电容容量小了, ...

请问下用mlcc做sepic的那个电容可以吗?我也想玩sepic,但是不怎么玩得动
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发表于 2019-3-5 13:53:01 | 显示全部楼层
2545889167 发表于 2019-3-5 13:28
请问下用mlcc做sepic的那个电容可以吗?我也想玩sepic,但是不怎么玩得动

MLCC比普通电解好用,就是有些材质的MLCC在电压大的时候容量变小。
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