在大家的帮助下，我放弃了nmos做上管驱动，老实买了pmos

俊输

画了一个pmos做电动车锁头开关的电路，右下角的24欧电阻是做负载示意的。

右上角pmos型号是 NCE01P30K DS耐压100V，GS耐压±20V（电池电压最低40v时，GS电压-10V，电池电压73v时，GS电压18.25v。都在完全导通范围内。）(发完帖子想起来，R1那里并联一个12v稳压二极管，更安全
控制部分nmos型号irfp250n，DS耐压200V，不用担心分压

我是想让电路的静态功耗降低一些，R1R2这一对分压电阻设置的很大，不知道对电路有影响不。

ba21

老实买了pmos

szset9999

ba21 发表于 2025-9-11 09:49
老实买了pmos

上 下 没区别 主要是控制电压不一样 一个高 一个低。

ewhz

你画的这电路不能完全导通，MOS管发热厉害完全不能用

俊输

ewhz 发表于 2025-9-11 11:04
你画的这电路不能完全导通，MOS管发热厉害完全不能用

我查了-10v，到-12V都是可以完全导通的啊

ewhz

俊输 发表于 2025-9-11 11:44
我查了-10v，到-12V都是可以完全导通的啊

MOS管因为有CISS电容所以也是需要电流的，你这上拉100K和限流300K电阻，你觉得这点电流够MOS管导通？

俊输

ewhz 发表于 2025-9-11 14:14
MOS管因为有CISS电容所以也是需要电流的，你这上拉100K和限流300K电阻，你觉得这点电流够MOS管导通？ ...

MOSFET的开启时间可根据栅极电荷来计算，NCE01P30K的栅极电荷Qg为136nC[__LINK_ICON]。根据公式t=\frac{Q_g}{I_{gate}}[__LINK_ICON]，其中Q_g为栅极电荷，I_{gate}为栅极驱动电流，将Q_g = 136nC，I_{gate}=100μA代入公式可得：

t=\frac{136\times10^{-9}}{100\times10^{-6}}s = 1.36\times10^{-3}s=1.36ms

因此，给NCE01P30K提供100微安的驱动电流时，大约需要1.36毫秒能打开。

分割线

上面是豆包问答的，实际怎么样我mos到货了搭个电路试下

ewhz

俊输 发表于 2025-9-11 16:19
MOSFET的开启时间可根据栅极电荷来计算，NCE01P30K的栅极电荷Qg为136nC[__LINK_ICON]。根据公式t=\frac{Q ...

你高兴就好了