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[产品] 长鑫存储放大招 国产DDR5-8000/LPDDR5X-10667内存横空出世,性能喜人

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发表于 昨天 20:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
嚯!各位数码圈的兄弟姐妹们,注意了注意了!就在前两天,咱们自家的存储大厂——长鑫存储(CXMT),在魔都举办的 2025中国国际半导体博览会(China International Semiconductor Expo)​ 上,搞了个大新闻!他们正式亮出了自家研发的、目前最顶尖的两款内存产品:DDR5-8000​ 和 LPDDR5X-10667!这可不是随便拿出来遛遛的概念货,是实打实能跑出这个速度的性能怪兽!

为啥说这事儿特别提气?您瞅瞅这性能参数:DDR5-8000,意味着每秒能传输 8000百万次(8000 MT/s)​ 数据!LPDDR5X-10667​ 更狠,飙到了 10667 MT/s!这速度是个啥概念?这么说吧,它已经稳稳站在了全球内存性能的第一梯队,跟三星、SK海力士(这俩韩系巨头)、还有美国的美光(Micron)这些老牌大厂最新、最顶的货,肩并肩,掰手腕,一点不虚!

特别是那个 LPDDR5X-10667,咱得重点唠唠。您知道三星刚整出来的下一代 LPDDR6 内存不?他们官方宣传的最高速度是多少? 10700 MT/s!咱长鑫这个 LPDDR5X-10667, 10667 MT/s,就差那么一丢丢!几乎可以说是摸到了下一代技术的门槛!这进步速度,够不够快?够不够狠?

为啥这事儿这么重要?背景得唠透!
咱都知道,现在啥最火?人工智能(AI)啊!还有各种云计算、大数据中心。这些玩意儿,那都是吃内存的大户!服务器嗷嗷待哺,就等着高性能内存喂饱呢。但是吧,过去咱们国内在高端内存这块,特别是服务器用的那种,很大程度上得看国外巨头的脸色。为啥?因为咱自己生产顶尖内存芯片的能力,以前确实还差点意思。这就好比你想组装一台顶级性能的电脑,CPU、显卡都堆上最好的了,结果发现最顶级的内存条买不着或者特别贵,这不就卡脖子了吗?服务器搞建设、AI训练跑模型,都可能因为这个被拖慢脚步。长鑫这次的新品,就是在努力打破这个局面!

性能牛是牛,具体长啥样?咱得把细节抠明白了!

长鑫这次秀的肌肉,可不光是速度快。咱得把容量、封装这些“硬指标”也掰扯清楚:

LPDDR5X-10667:​ 单颗芯片的容量有 12 Gb​ 和 16 Gb​ 两种规格。Gb 是啥?Gigabit,十亿位。注意啊,不是咱们常说的 GB(Gigabyte,十亿字节),1 Byte = 8 bits,所以 16 Gb 的芯片实际容量是 2 GB。这种内存主要是给谁用的?手机、平板、超薄笔记本这些需要省电又需要高性能的设备,是它的主战场。

DDR5-8000:​ 单颗芯片容量更大,有 16 Gb​ 和 24 Gb​ 两种。同样换算一下,24 Gb 就是 3 GB。这种就是我们电脑(台式机、笔记本)和服务器里常见的内存条的基础芯片了。

光有芯片还不行,得做成能插能用的“条子”对吧?长鑫这次覆盖得挺全乎:

给服务器/数据中心大佬准备的“豪华套餐”:
RDIMM (Registered DIMM):​ 带寄存器,稳定可靠,服务器标配。
MRDIMM (Multiplexer Rank DIMM):​ 这玩意儿更高级,能支持更大的内存容量和更高的带宽,是未来数据中心大内存需求的解决方案之一。
TFF MRDIMM:​ 这名字看着复杂,其实就是 MRDIMM 的一种特定封装形式(通常是薄型),也是为了适应数据中心服务器紧凑的空间需求。

给咱们普通打工人/游戏玩家的“主力装备”:
UDIMM (Unbuffered DIMM):​ 这就是咱们台式机里最常见的内存条啦,不带寄存器,价格相对亲民。

给笔记本、迷你主机爱好者的“小巧玲珑”:
SODIMM (Small Outline DIMM):​ 比 UDIMM 短一截,专门为笔记本、迷你 PC 设计的。

给发烧友和工作站大佬的“超频利器”:
CUDIMM (Clock Driver UDIMM) & CSODIMM (Clock Driver SODIMM):​ 这俩名字里带“Clock Driver”(时钟驱动器),简单理解就是专门加装了优化信号时序用的芯片,更适合玩超频(把内存速度再往上榨)或者用在需要极致稳定性和性能的工作站上。

老板们最关心的服务器市场,长鑫的 RDIMM 产品线提供了丰富的容量选择,目标就是搞定主流服务器平台的各种内存配置需求。这块市场最大,油水也最足,长鑫显然是卯足了劲儿要分一杯羹。

长鑫的技术走到哪一步了?咱得往回倒倒带!
这事儿其实早有苗头。还记得今年年初(2025年1月)吗?专业分析机构 TechInsights 就拆解了光威(Gloway)的一款 DDR4-6000 UDIMM 内存条,在里面发现了长鑫存储全新的 16 nm​ 工艺制造的 DRAM 芯片!这可是个大发现,标志着咱们国产存储芯片在制造工艺上取得了重大突破。

当时拆出来的那颗长鑫 16 Gb DDR5 芯片,面积是 67 平方毫米。芯片密度(单位面积能放多少存储单元)达到了 0.239 Gb/mm²。更关键的是,它用的 G4 DRAM 存储单元,比长鑫上一代的 G3 单元,足足小了 20%!单元越小,同样面积就能塞进更多单元,意味着容量可以更大或者成本可以更低。长鑫的工艺路线图也挺清晰:从最早的 23 nm(G1),到 18 nm(G2),再到现在的 16 nm(G4),一步一个脚印在往前赶。

泼点冷水?清醒认识差距也很重要!
咱必须得承认,长鑫这次的成果确实振奋人心,性能参数上能和巨头们掰手腕了。但是!技术追赶的路还很长很长。​ 业内普遍的看法是,在制造工艺、良率控制、大规模量产能力这些硬核实力上,长鑫存储跟三星、SK海力士、美光这“三座大山”相比,差距大概还有三年左右。啥意思?就是人家现在大规模量产的可能已经是更先进节点的产品了,或者在良率、成本控制上优势巨大。

所以啊,各位看官也别指望长鑫这一波新品立刻就能让全球 DRAM 内存市场“变天”,让价格“跳水”,彻底解决时不时冒出来的“内存短缺”问题。这不太现实。巨头们积累的技术壁垒和产能规模,不是一朝一夕能撼动的。长鑫的崛起,更重要的意义在于:咱们终于有了能参与高端游戏的本土玩家,给市场多了一个选择,给产业链多了一份保障,也给巨头们提了个醒——中国玩家,来了!

结尾咱也整点有味的:
长鑫存储这次在自家门口的大展上秀肌肉,亮出 DDR5-8000 和 LPDDR5X-10667 这两把“快刀”,确实让全球存储圈都侧目了一把。性能参数够硬,产品线覆盖够广,从手机电脑到服务器数据中心,野心不小。这背后是实打实的技术积累,从 23nm 一路迭代到 16nm G4 单元,进步肉眼可见。虽然要真正追平甚至超越韩美巨头,前面还有硬仗要打,制造层面的差距依然明显,全球 DRAM 供应格局短期内也不会因此翻天覆地。但无论如何,看到国产存储能在最尖端的内存速度上跟世界一流水平“并驾齐驱”,这份突破本身就值得一个大大的赞!这不仅是长鑫的里程碑,更是中国半导体产业向上突围的一个响亮信号。未来可期,但道阻且长,咱们拭目以待长鑫的下一招!

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