进军DDR5/GDDR6/LPDDR5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺

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稿源：快科技

千呼万唤始出来，前两天国内DRAM内存终于迎来了历史性一刻——合肥长鑫的DDR4内存终于开始对外供货了。严格来说，合肥长鑫的内存不是第一款国产DRAM内存芯片，紫光旗下的紫光国微之前也有DDR内存研发，也曾少量用于国产的服务器等产品中，但是紫光国微没有生产能力，DDR内存无法大量供应。

所以合肥长鑫是首个真正具备量产能力的国产内存，他们现在已经可以供应DDR4内存芯片、DDR4模组及LPDDR4X移动内存，频率可达2666MHz、2666MHz、3733MHz，也是比较主流的水平了。


目前长鑫生产的内存芯片使用的还是10G1工艺，也就是10nm级第一代工艺，具体来说是19nm工艺，相比三星来说落后了两三代水平。

不过长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了，预计还会有10G3、10G5工艺，目前具体水平不确定，大概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进，相当于16-19、14-16、12-14的水平，具体看长鑫的能力。

产品方面，除了目前的DDR4、LPDDR4之外，未来还会有DDR5、LPDDR5、GDDR6等，覆盖桌面、移动及图形三大市场，产品线齐全。