三星 3nm 芯片将于第二季度开始量产

msz09861

      IT之家 4 月 28 日消息，三星电子周四宣布，将在本季度 (即未来几周内) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术，也是首个使用环栅场效应晶体管 (GAAFETs) 的节点。

    “这是世界上首次大规模生产的 GAA 3 纳米工艺，将以此提高技术领先地位，”三星在一份报告中写道。

    三星 Foundry 的 3GAE 工艺技术是首次使用 GAA 晶体管 (三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)”) 工艺。

    IT之家了解到，三星大约在三年前正式推出了其3GAE 和 3GAP 工艺节点。当该公司描述  使用其 3GAE 技术生产的 256Mb GAAFET SRAM 芯片时，它拿出了许多数据。

    三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

    理论上，与目前使用的 Finfet 相比，Gaafet 有许多优势，例如可大大降低晶体管漏电流 (即，降低功耗) 以及挖掘晶体管性能的潜在实力，这意味着更高的产率、和改进的产能。此外，根据应 用材料公司最近的报告，GAAFETs 还可以减少 20% 至 30% 的面积。

    当然，三星的 3GAE 只是一种“早期”的 3nm 级制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 SF 的其他 alpha 客户使用。如果这些产品的产量和性能符合预期， 那么不久之后我们就可以看到新品大量出货了。

zijinshi

waffle 发表于 2022-4-29 09:07
快到物理极限了，这些半导体巨头都不得不停下脚步等z国

正是弯道超车的好时机，咱们的专家早说了，摩尔定律在纳米尺度就要失效了，我们要抓住机遇，奋力赶超

zrx166

不看好三爽，步子迈得太大，小心***

techon

摩尔定律居然还没到头

moonfirey

三星代工的高通旗舰芯片能耗比感人，续航尿崩，还得看台积电

waffle

lttc 发表于 2022-4-29 08:45
我们到哪里了呢

快到物理极限了，这些半导体巨头都不得不停下脚步等z国

壹筒江湖

三纳米，厉害

msz09861

lttc 发表于 2022-4-29 08:45
我们到哪里了呢

确实让人着急啊！

lttc

我们到哪里了呢

liumiao73

快到头了吧

goldkey

厉害了，都3nm了啊