超级简洁，最大75A电流PWM调速器！

密宗龙 · 发表于 2024-7-30 19:42:47

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本帖最后由密宗龙于 2024-7-31 12:27 编辑

http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2380350

这个电路能承受多大的电流输出？

如果想用在775或者550电机上（大约10-20A输出，没测过），需要更改哪些元器件型号？

感觉这个电路很简洁，用料少，简洁，比较方便焊接。

75N75 75A/75V TO-220 MOS管场效应管，是75A，最大电流就是75A？也就是能承受20A的电流了？

SS14丝印 DO-214AC/SMA封装肖特基二极管 40V/1A

SS14是一款表面贴装（SMD）的肖特基二极管，具有较低的正向压降和较快的切换速度。

以下是SS14肖特基二极管的一些主要参数：

1. 封装类型：SMA/DO-214AC（表面贴装封装）
2. 最大反向电压（Vr）：40V
3. 最大正向电流（If）：1A（平均整流电流）
4. 正向压降（Vf）：约0.5V（在1A电流时）
5. 最大反向恢复时间（trr）：通常小于500ps（皮秒）
6. 最大工作温度范围：-65℃至150℃
7. 最大耗散功率：2W

75N75产品描述
75N75是N沟道增强型功率场
状态特性稳定、快速的效应晶体管
开关速度，低热阻，常用于电信
和计算机应用。
2、75N75产品特征
RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V
超低栅电荷（典型的90纳米）
快速交换能力
指定雪崩能量
改进的dv/dt能力，坚固性高
3、75N75参数范围
产品型号：75N75
工作方式：75A/75V
漏源电压：75V
栅源电压：±20V
漏电流连续：75A
脉冲漏极电流：300A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：220W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：75V
温度系数：0.08/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：3300PF
输出电容：530PF
上升时间：79ns
封装形式：TO-251、252、220、220F

密宗龙 · 发表于 2024-8-3 07:30:17

603599910 发表于 2024-8-2 22:41
D1和D2用1N4148足够,电机用SS14并联电机理论上是不够的.这个电路是公版的很多人抄板,只可惜没有好好优化. ...

看来我要学习一下画pcb了。把这个修改一下，还有把大佬你那个电路图也做成pcb文件。

603599910 · 发表于 2024-8-2 22:41:47

密宗龙发表于 2024-8-2 21:39
嗯。我发的这个电路是网店常用的，甚至网店的还精简了SS14的个数成了1个。

大佬你那个电路应该很完美， ...

D1和D2用1N4148足够,电机用SS14并联电机理论上是不够的.这个电路是公版的很多人抄板,只可惜没有好好优化.

密宗龙 · 发表于 2024-8-2 21:39:45

603599910 发表于 2024-8-2 20:45
这个板优化把R3改为47K,D3改为SS56,然后按照附图焊锡怼上去增加电流,一个MOS管因为内阻加PIN脚走线阻碍走 ...

嗯。我发的这个电路是网店常用的，甚至网店的还精简了SS14的个数成了1个。

大佬你那个电路应该很完美，只是我还不会画嘉立创打板文件pcb，想打板都难。

603599910 · 发表于 2024-8-2 20:45:43

密宗龙发表于 2024-8-2 20:21
感觉这个更简洁，元器件更少。

我前几天已经打板了5张。

这个板优化把R3改为47K,D3改为SS56,然后按照附图焊锡怼上去增加电流,一个MOS管因为内阻加PIN脚走线阻碍走10A都极烫,要增加电流需要并联MOS.然后C3并联至少2200U增加供电能力和环路尖峰.用这个端子可以去看下规格资料最大电流耐多少,最大电流下端子几分钟会烫手的,所以要做20 A的案子就不能省力,端子改用XT60.
个人是不喜欢直接用PWM怼容性和感性负载,瞬间电流和反电动势太大容易导致负载不稳定噪音以及 MOS管不堪重负自我了断.

密宗龙 · 发表于 2024-8-2 20:21:58

603599910 发表于 2024-8-2 20:15
输入范围9-13V能抗住,换25V电容输入16V也没事,20A可以抗住但具体发热无法验证.这个做出来体积会大很多,不 ...

感觉这个更简洁，元器件更少。

我前几天已经打板了5张。

不知道有哪些地方不足，可以改进的？

603599910 · 发表于 2024-8-2 20:15:37

密宗龙发表于 2024-8-2 18:31
谢谢大佬！

这个电源输入范围是？

输入范围9-13V能抗住,换25V电容输入16V也没事,20A可以抗住但具体发热无法验证.这个做出来体积会大很多,不太容易放进电钻.单25A电感就要15*30MM了,还有几个电解电容.

密宗龙 · 发表于 2024-8-2 18:31:34

603599910 发表于 2024-8-2 17:06
精简是不可能精简的了,加DC-DC降压模式,会有惊喜.

谢谢大佬！

这个电源输入范围是？

输出电流最大可以承受多少A？20A？

我打算做个洞洞板的。本想嘉立创打板的，还不会画图。

603599910 · 发表于 2024-8-2 17:11:53

603599910 发表于 2024-8-2 17:06
精简是不可能精简的了,加DC-DC降压模式,会有惊喜.

NE555那是常规电路大神们早就玩的溜也没有必要再去想改变, MOS管输出电路增加电感DC-DC电路使电机工作在线性电流区,这样电机对 MOS管基本没有冲击,PWM输出VPP12V会超过部分MOS管的栅极极限,改为7809也能保证MOS的工作状态.

603599910 · 发表于 2024-8-2 17:06:27

密宗龙发表于 2024-8-2 00:08
就佩服你这样的大牛！

我想三天三夜，想精简，想尽量用常见、低成本的元器件，都做不到。 ...

精简是不可能精简的了,加DC-DC降压模式,会有惊喜.

密宗龙 · 发表于 2024-8-2 00:08:09

603599910 发表于 2024-8-1 23:22
明天吧,看下想想优化下.

就佩服你这样的大牛！

我想三天三夜，想精简，想尽量用常见、低成本的元器件，都做不到。

603599910 · 发表于 2024-8-1 23:22:05

密宗龙发表于 2024-8-1 22:06
能不能把楼主的那个图简化成直接5-12v供电，不需要3.6v升压？

或者直接12v供电，不需要3.6v升压 ...

明天吧,看下想想优化下.

密宗龙 · 发表于 2024-8-1 22:07:57

weln2016 发表于 2024-8-1 21:26
又要电流大又要原件少简单我期待你的作品

哈哈。我的意思是那几个在网店看过，宣传说10A，夸大了很多，估计5A都够呛。

密宗龙 · 发表于 2024-8-1 22:06:28

603599910 发表于 2024-8-1 21:11
电路设计需要一定模拟电子分析能力,最基本的计算和常规的元器件选型规则.像这个电路3.6V供电使用75NF75是不 ...

能不能把楼主的那个图简化成直接5-12v供电，不需要3.6v升压？

或者直接12v供电，不需要3.6v升压

weln2016 · 发表于 2024-8-1 21:26:05

密宗龙发表于 2024-8-1 20:33
这些都太low了！说可以承受10A，可能是假的。

又要电流大又要原件少简单我期待你的作品

603599910 · 发表于 2024-8-1 21:11:07

电路设计需要一定模拟电子分析能力,最基本的计算和常规的元器件选型规则.像这个电路3.6V供电使用75NF75是不理想的,高电压的Rds高耗损太大.然后必须把3.6V升压成12V供电555,然后输出的PWM接近VPP12V才能让MOS管完全导通. MOS管导通12毫欧过10A至少120毫伏压降那这时已经1.2W的耗损,没有散热器发热已经不能触摸了.