佳能向得克萨斯电子研究所交付其最先进纳米压印光刻 NIL 系统

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佳能日本东京当地时间昨日宣布，将在同日向总部位于美国得克萨斯州的半导体联盟得克萨斯电子研究所（TIE）交付佳能最先进的纳米压印光刻 NIL 系统 FPA-1200NZ2C。

得克萨斯电子研究所成立于 2021 年，由得克萨斯当地政府、半导体企业（IT之家注：包括英特尔在内）、美国国家研究机构和其它实体组成，得到了得克萨斯大学奥斯汀分校的支持。

该联盟对外提供对半导体研发计划和原型设施的访问权限，以帮助解决与先进半导体技术（包括先进封装技术）相关的问题。

佳能的 FPA-1200NZ2C 系统可实现最小 14nm 线宽的图案化，支持 5nm 制程逻辑半导体生产。该设备将在得克萨斯电子研究所用于先进半导体的研发和原型的生产。

传统的光刻设备通过将高能光线投射到涂有光刻胶的晶圆上来塑造电路图形，而佳能 FPA-1200NZ2C 系统则通过将印有电路图形的掩模像印章一样压入晶圆上的光刻胶内来实现这一过程。

由于其电路图形转移过程不经过光学步骤，NIL 光刻设备可以在晶圆上忠实再现掩模中的精细电路图形。此外 NIL 光刻设备还具有低功耗低成本的优势。