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[业界] 三星 3D NAND 量产提效:光刻胶用量减半,每年节省数十亿韩元

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发表于 2024-11-26 21:48:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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韩媒 The Elec 今天(11 月 26 日)发布博文,报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破,在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶(PR)用量,降幅达到此前用量的一半。
IT之家援引消息源报道,此前每层涂层需要 7-8cc 的光刻胶,而三星通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化 PR 涂层后的蚀刻工艺,现在只需要 4-4.5cc。
而另一个重要因素,是三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,通常情况下一次工艺形成 1 层涂层,而使用更厚的光刻胶,三星可以一次形成多个层,从而提高工艺效率。
不过更厚的光刻胶在生产中也有挑战,由于光刻胶具有高粘度,会在涂层时会导致均匀性问题。
三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司自 2013 年起就密切合作,共同研发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星 KrF 光刻胶的独家供应商,为三星第 7 代(11 微米)和第 8 代(14 微米)3D NAND 提供了关键材料。
消息称从第 9 代 3D NAND 开始,三星将全面应用这项新技术,这一创新举措不仅提高了生产效率,更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。
同时也意味着东进半导体将面临来自三星的订单减少,东进半导体目前每年从光刻胶业务中获得约 2500 亿韩元收入,其中 60% 来自三星。

发表于 2024-11-26 23:03:38 | 显示全部楼层
到底NAND跟EMMC区别在哪呢
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