AI应用存储技术迎来新突破！铠侠闪迪联合发布4.8Gb/s 332层3D闪存

Meise

各位科技爱好者注意啦！在ISSCC 2025国际固态电路会议上，Kioxia与Sandisk共同展示了其最新研发成果——采用332层堆叠结构的第十代3D闪存技术。这项创新不仅将数据传输速度提升至4.8Gb/s，更在能耗控制方面实现重要突破，标志着存储技术进入全新发展阶段。

此次技术突破的核心源于三大创新：CBA（CMOS直接键合阵列）技术如同为存储芯片装上"直达电梯"，省去传统布线环节；Toggle DDR6.0接口标准搭配SCA协议，让指令传输效率提升30%；PI-LTT电源隔离技术则像给电路装上"节能开关"，使数据输出功耗直降34%。相较于正在量产的第八代产品，新款闪存的接口速度提升33%，输入功耗降低10%，真正实现性能与能效的双重优化。

更令人期待的是，通过将存储层数增加至332层并优化内部结构，新一代闪存的存储密度较前代提升59%。这意味着未来智能手机有望在保持轻薄设计的同时实现TB级存储，而数据中心则能以更小体积承载海量数据。Kioxia首席技术官宫岛英司强调："AI技术的普及使得数据存储需求呈指数级增长，我们的技术将为下一代存储解决方案奠定基础。"

Sandisk全球战略与技术高级副总裁Alper Ilkbahar透露，即将量产的第九代产品将采用新旧技术融合方案，在控制成本的前提下实现高性能与低功耗。目前两家企业已建立灵活的技术组合方案，可根据不同市场需求快速调整产品特性，覆盖从消费电子到企业级存储的全场景应用。

从技术参数来看，这项突破不仅刷新了NAND闪存的性能记录，更预示着存储技术的演进方向。随着332层堆叠技术的成熟，未来两年内我们或将看到具备10GB/s读写速度的消费级SSD，以及体积更小、容量翻倍的数据中心存储方案。在AI与大数据持续发展的背景下，存储技术的进步正在为数字社会构建更坚实的数据地基。