三星第六代DRAM量产获批！1c工艺良率冲至70%，HBM4大战一触即发

Meise

韩媒《韩国先驱报》昨天（7月1日周二）爆出猛料：三星电子第六代DRAM技术拿到量产通行证了！半导体圈内人都知道，这个代号"1c"的10纳米级工艺是三星的王牌，测试阶段良率冲到50%到70%，每两年升级迭代的节奏稳得一批。最关键的是，这事儿密切关系到下半年AI芯片大战——三星押宝用这技术量产下一代HBM4内存。

​​技术底牌全揭秘​​
三星今年五月就透露了杀手锏：给HBM4用上混合键合技术。简单说就像给内存条搭了座散热桥，既能压住高温，又能开条超宽数据通道。现在量产绿灯一亮，等于给AI显卡和超算吃了定心丸。按照计划，今年下半年装着第六代DRAM的HBM4就要正式开造。

​​老对手亮刺刀​​
当前HBM市场老大SK海力士可没睡大觉。人家用第五代DRAM技术造HBM4，三月份就把样品送到各大客户实验室了，量产时间同样定在今年下半年。但三星眼前还堵着两座山：
第一关 得把自家HBM4样品塞进英伟达实验室
第二关 必须闯过老黄家的魔鬼认证测试

还有个闹心事：三星那12层堆叠的HBM3E内存，给AMD供货都两个月了，可英伟达的认证到现在还没动静。

（时间线敲黑板：本周二韩媒曝光量产消息→三月SK海力士送样→五月三星公布技术→下半年双雄决战HBM4）