美光开始量产第三代16Gb DDR4内存：1Znm工艺、功耗更低

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近日，美光官方宣布已经开始量产1Znm工艺的16Gb DDR4内存，是第三代10nm级内存工艺，并且也是业界首次批量生产1Znm工艺产品，进度比三星还要迅速。

　　美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm制程的16Gb DDR4内存芯片拥有更高的密度、更强的性能以及更低的成本。但是目前美光官方并没有公布这款内存的具体数据，仅明确表示1Znm 16Gb DDR4内存相比较于前几代8Gb DDR4内存降低约40%的功耗，而性能和成本数据没有明确回答，不过可以肯定的是，更先进的制程工艺往往代表着更高的性能。

　　值得一提的是，在美光此前公布的产品路线图中，1Znm工艺后还会有1αnm、1βnm、1γnm工艺，所以在10nm级别产品中会有六种制造工艺，而现在恰好是研发到了第三代10nm级别的内存。此外，美光还表示将批量出货业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，并且基于UFS的多芯片封装：uMCP，可以满足业界中对低功耗、小封装的需求。

　　目前美光尚未公布这款内存的具体上市时间，而美光在DRAM市场的主要竞争对手三星也在去年春季宣布称，将在今年下半年开始生产1Znm工艺8Gb DDR4模块，而可能正是因为这个原因，导致美光加速生产自己的1Znm产品，从而更快占领相关市场份额。

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