Transphorm发布第五代GaN FET

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来源: EEWORLD

Transphorm公司已经开始发售其第五代GaN FET，符合JEDEC和AEC-Q101标准，包括650V和900V产品，用于高压功率转换应用。这是其专有的SuperGaN品牌下的首款第五代产品。

TP65H015G5WS瞄准了电动汽车市场，并提供了SuperGaN器件系列所固有的业界领先的性能增强，易设计性和优化的成本结构。该公司表示其第五代GaN解决方案提供了最低的导通电阻，并且与标准TO-247-3封装中的碳化硅（SiC）相比功耗降低了25％，从而增强了GaN在电动汽车电源转换中的潜力。

3月，汽车零部件供应商Marelli宣布与Transphorm建立战略合作关系，以合作开发基于GaN的新型汽车/ EV电源转换解决方案，包括车载充电器（OBC），DC/DC转换器和电动/混合动力汽车的动力总成逆变器。

“Transphorm完成了通过半桥式拓扑的分立GaN器件实现10kW功率的演示，这进一步验证了GaN用于电动汽车转换器和逆变器的前景。” Marelli Electric Powertrain首席执行官Joachim Fetzer博士评论道。：“作为我们先前宣布的合作伙伴关系的一部分，我们将继续评估Transphorm的行业领先的GaN器件，并共同努力以支持多年的EV系统产品路线图。”

Transphorm的创始人兼首席运营官 Primit Parikh表示：“我们将继续创新Transphorm的SuperGaN FET技术，现在以市场上标准的TO-247-3封装提供世界上最低的导通电阻，目标市场是电动汽车和其他高功率转换应用。这将使客户能够通过单个产品将功率提高到上万瓦，从而证明GaN具有更高性能，更低系统成本和更高功率密度的能力。我们的第五代GaN平台正在为以前需要并联的应用创造新的设计机会，同时仍保持超过99％的效率。”

SuperGaN技术胜过SiC

SuperGaN 第五代平台完美继承并解决了上一代的所有经验及教训：获得专利的减小的封装电感技术，易设计性和可驱动性（4V的Vth以获得抗噪声性）以及+/- 20Vmax的栅极鲁棒性，以及简化的结构。这两款器件均可在半桥同步升压转换器中以70kHz的频率运行，最高可驱动12kW的功率，从而使Transphorm的GaN器件损耗降低了25％。

该公司表示，Transphorm已开始对15mΩ 650V器件SuperGaN Gen V FET进行样品申请，由于其栅极灵敏度，该技术无法与现有的单芯片增强型GaN技术一起使用。与市场上典型的最低内阻的SiC MOSFET分立器件相比，该解决方案能够根据目标应用驱动超过10kW的功率，例如EV OBC和动力总成逆变器，机架式数据中心服务器的电源，不间断的工业电力应用以及可再生光伏逆变器。TP65H015G5WS也将用于裸片级模块解决方案，这些解决方案可通过进一步的并联以实现更高的功率。

该公司预计其第五代FET器件将在2021年中期获得JEDEC认证，之后有望获得AEC-Q101认证。