数码之家

 找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

微信登录

微信扫一扫,快速登录

搜索
查看: 572|回复: 4

广泛应用的MOS管,看它的各种参数选择 有意思 至少避免太大错误

[复制链接]
发表于 2024-2-29 21:59:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

爱科技、爱创意、爱折腾、爱极致,我们都是技术控

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册 微信登录

x
前几天看知乎上一个人写的。


1.看耐压,,,VDS  VGS最大情况。输出24V的话,起码要40V

2.看VGSTH  G的开通电压,不能太高,太低也不好。要合适  太低开启并不好。

3.看Id电流  一般都够。

4.看RDS-ON  如果30mΩ的话,2A就要60-70mV压降。。。比什么二极管少了10倍。

打赏

参与人数 1家元 +18 收起 理由
cbh1a + 18 謝謝分享

查看全部打赏

发表于 2024-2-29 22:22:44 | 显示全部楼层
学习了,使用的时候要注意了。
回复 支持 反对

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2024-2-29 23:03:35 | 显示全部楼层


虽然说的VDS最大100V。虽然说ID是23A


右下角的安全工作区。
可是当电压到50V的时候,电流最大也就2A,稍微调下,有个波动,脉冲,管子就烧了。因为管子有电容的,如此高压下,波动就是充放电。

以前烧过几个IRF540。






本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册 微信登录

x
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-3-1 08:42:02 | 显示全部楼层

学习了,使用的时候要注意了。
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2024-3-2 17:02:05 | 显示全部楼层
有感而发,开关电源和焊机广泛应用的功率MOSFET 和 IGBT在代换时,只需要考虑耗散功率和导通内阻两个参数吗,还有没有更重要的参数或注意事项?(暂且只讨论IGBT功率MOSFET代换功率MOSFET,IGBT代换IGBT,IGBT用功率MOSFET代换暂不涉及)
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册 微信登录

本版积分规则

APP|手机版|小黑屋|关于我们|联系我们|法律条款|技术知识分享平台

闽公网安备35020502000485号

闽ICP备2021002735号-2

GMT+8, 2025-6-15 17:51 , Processed in 0.124800 second(s), 9 queries , Redis On.

Powered by Discuz!

© 2006-2025 MyDigit.Net

快速回复 返回顶部 返回列表