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半导体巨头三星电子,正在快马加鞭地升级其尖端的NAND闪存生产线。根据业内消息,他们眼下正全力推进一项关键任务:把厂区里老一代的生产设备换成最新的286层堆叠的第九代V-NAND闪存(简称V9)工艺。这事儿办得相当火热。
不过呢,之前大家普遍预期在今年内就能迎来大批量生产的超过400层堆叠的第十代V-NAND(V10),现在看来,这个时间点可能要往后推一推了。
就在前天(2025年6月19日,星期四),半导体圈内人士透露,三星电子正在其韩国平泽的第一工厂(P1)大搞设备升级。他们的目标是把原本用于生产第六代到第八代NAND的旧装备,通通换成能搞定第九代(V9)的前沿制造设备。行业观察家分析,三星这么急吼吼地升级,是有个大计划:他们预计今年下半年,企业级SSD(固态硬盘)的需求会再次爆发性增长,尤其是那些用高容量QLC(四层存储单元)NAND芯片的产品。提前把V9的产能扩出来,就是为了稳稳当当接下这波大单,避免手忙脚乱。
NAND闪存这个东西,有个特点:芯片里能堆叠的层数越多,在同样大小的芯片面积里就能塞下更多数据。这对造超大容量的芯片特别有利。你看像三星电子、SK海力士这些闪存大厂,技术一路都在“叠高高”:从一百多层级别的第六代开始,进化到176层的第七代,236层的第八代,如今已经是286层的第九代(V9)了。
特别值得注意的是,从第九代(V9)开始,主流产品已经是用QLC技术在量产了。NAND闪存根据每个存储单元能存多少位数据,分成不同类型:有SLC(一层单元)、MLC(两层单元)、TLC(三层单元),最高就是QLC(四层单元)。其中QLC能存的数据量是最大的。
那么,需要超大容量的企业级SSD,正好就是大量使用QLC NAND的代表性产品。这里头还有个背景故事:去年(2024年)不是遇到一波企业级SSD需求突然暴增嘛,三星当时栽了个跟头——他们的V9产能没跟上趟,结果导致很多订单处理延迟,甚至眼睁睁看着一些单子飞到了竞争对手SK海力士那儿。就是因为这次失误,导致三星在市场份额上被SK海力士追赶了不少,差距大大缩小了。
根据预测,这股企业级SSD的需求虽然在去年年底稍微歇了歇脚,但今年下半年(2025年下半年)又要强势反弹了。做市场研究的机构TrendForce发布报告也说,随着今年三季度企业级SSD需求增长,SSD的价格预计会比上一季度最高上涨10%。
所以啊,三星电子这波升级V9产线的动作,就是为了赶快把V9的产能规模搞大。有消息显示,三星不仅忙着改造平泽P1工厂的老线,甚至位于中国西安的X2 NAND工厂,现在也在摩拳擦掌,准备把原来生产第七代、第八代(V7/V8)的设备,逐步升级切换到V9工艺。而且,从去年年底开始,他们位于西安的X1工厂,也一直在推进将生产第六代(V6)的设备更新到第八代(V8)生产线。三星的设备升级真是连轴转。
“去年企业级SSD需求突然爆火的时候,好多本来应该是三星的订单,最后都被SK海力士给拿下了,”一位半导体业内人士这样说,“为啥?就是因为三星那时候自己家的QLC第九代产品线跟不上啊。他们这次这么着急上马新线,也是怕下半年需求再来的时候,重蹈覆辙。”
这位内部人员还进一步分析道:“三星在NAND这块的投资路线是非常清晰的。他们现在不倾向于大规模建全新的工厂线,而是把主要精力放在用新技术、新工艺改造现有的老设备上。目标是把老一代的第六代、第七代、第八代产线,逐步都更新换代到第九代,甚至未来的第十代水平上去。这策略很明确。**
不过,这看似顺利的升级计划也有点小波折:三星那个更厉害的第十代V10 NAND闪存的大规模量产计划,现在看起来有点延后了。三星原本是希望今年就能把V10量产搞起来的,但业内不少声音猜测,这事得拖到明年(2026年)上半年去了。
为啥会延期呢?根子出在一个关键设备上。三星打算在全新的V10生产流程中引入一种新型的刻蚀(蚀刻)设备。这套设备之前没在他们家其他代际产品里广泛应用过,结果在生产调试过程中遇到点麻烦——用这新机器造出来的芯片,合格率(良率)老是达不到预期的水平,问题卡在这儿了。听说三星准备在V10产线上放弃用惯了的Lam Research(泛林集团)的设备,转而采用东京电子(Tokyo Electron, TEL)最新研发的超低温刻蚀机。
另外一位了解内情的半导体产业人士透露了内情:“三星的想法是在做V9的时候,就先小范围试试水,摸索一下用东京电子这套超低温刻蚀设备的效果。他们原打算等摸熟、摸透了,就在V10生产线里全面用上。但现在看来V9的导入阶段就把时间给耗长了,连带着V10量产测试也跟着耽误了。所以,眼下V10产线想大规模砸钱投入生产?这个节奏只能先缓缓了。”
(新闻来源:https://www.sisajournal-e.com)
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