三星冲刺2纳米芯片 台积电3纳米制程主导市场

Meise

半导体行业战火重燃！
2025年6月25日市场消息显示，​​三星电子​​正猛砸资源攻坚​​2纳米制程技术​​，计划最早于​​2026年​​在​​美国得州工厂​​率先量产下一代芯片。三星试图借此技术跨越实现弯道超车，挑战行业霸主​​台积电（TSMC）​​。不过据《工商时报》援引业界人士分析，三星当前​​3纳米环绕栅极晶体管(GAAFET)技术​​实际效能仅与竞争对手的​​4纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)节点​​相当，引发市场担忧其2纳米工艺仍难匹敌台积电最强的​​3纳米FinFET技术​​。

制程霸主稳扎稳打​​
与三星的激进策略形成鲜明对比，台积电持续深耕​​3纳米技术生态​​：

已推出​​N3X​​（高性能计算专用）
​​N3C​​（成本优化版）
​​N3A​​（汽车级）
等系列化制程节点
业内报告指出，上述方案仍是全球主要芯片厂商的首选平台。

​​旗舰芯片格局明朗​​
当前智能手机芯片战场呈现"一超一强"态势：

​​联发科天玑9400/高通骁龙8 Gen4/苹果A18​​等旗舰SoC均采用​​台积电第二代3纳米(N3E)工艺​​
唯​​三星Exynos 2500​​采用自研3纳米GAAFET技术孤军奋战

技术代差真实存在​​
芯片设计公司提供的测试数据揭示关键差距：

同样采用​​Arm Cortex-X925超大核架构​​
台积电N3E制程的​​天玑9400主频达3.62GHz​​
三星3纳米方案仅实现​​3.3GHz峰值频率​​
且前者量产时间领先对手约三个季度

产能扩张紧锣密鼓​​
面对持续增长的订单需求：

台积电​​第三代3纳米(N3P)制程​​已于2024年末启动量产
2025年该节点总产能预计提升​​60%以上​​
为满足美国本土制造需求，其​​亚利桑那州第二晶圆厂​​建设加速推进，关键设备将于​​2025年第三季度​​进驻安装。

（图片来源：台积电官方）

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三星的tf卡非常好用