长鑫存储购得大量 DRAM 专利，国产DDR4内存明年上市

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来源：IT之家

根据长鑫储存官方的消息，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。 依据专利许可协议，长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

依据独立的专利采购协议，长鑫存储从 Polaris 购得相当数量的 DRAM 专利。据悉，长鑫存储的事业2016年在安徽合肥启动，专业从事DRAM 的研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。

根据之前的报道，长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。

目前，长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。

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