联想 SL700 512G 拯救者 NVMe 拆解测试

我家智天用w8

上一次拆解了联想的SL700 饥饿鲨，今天我们来看看SL700 拯救者。有关联想的固态产线就不再复述。这里解释一下为什么会连续两次都会与联想系列的固态扯上关系。其实最近由于需要较多的固态对比，所以就开始尝试接触不同的固态硬盘，目前手上大部分的固态都是TLC固态硬盘，上一个联想SL700 1T饥饿鲨也不过是用于暂存数据，之所以又购买联想拯救者系列固态（以下简称SL700，脱离文章后请区分）的原因，是因为听闻他是MLC固态，而且价格不错，虽然颗粒状态不详。相比于现在常见的东芝XG3，建兴T10，三星SM系列，性价比还不错，所以就买来了。


联想 SL700 512G 拯救者 规格：规格：M.2 2280容量：512G接口：M.2协议：NVMe，PCIE3.0 X4颗粒：疑似东芝3D TLC顺序读取：2700MB/s顺序写入：1400MB/s随机4K读取：300000IOPS随机4K写入：270000IOPS其余参数请参考京东介绍：https://item.jd.com/7602756.html
SL700 512G的拆解特别简单，直接就能看出来了。



SL700 512G采用M2.2280设计，拆开正面有一颗缓存，一颗主控，两颗闪存颗粒。背面无任何东西。


颗粒方面，SL700颗粒依旧被打磨，无法确认颗粒型号。仅能在颗粒表面看到：TCBBG55A1V。按照东芝的颗粒型号区分，该颗粒容量为32Gb，显然不正确。按照容量分辨，单颗颗粒容量为2048Gb。其他信息皆无法获取。


缓存方面，采用一颗DDR3L 2Gb的南亚颗粒，编号NT5CC128M16IP-DI。生产日期为1839。频率为1600.


主控方面为群联的高端主控PS5012-E12。该主控在官方文档中并未提及支持MLC颗粒，仅提及支持3D TLC颗粒，因此推测颗粒为3D TLC颗粒。其他有关PS5012-E12的主控信息请参阅群联PS5012-E12官网官方参数。



测试：
本文的测试内容非本文重点，亦不能代表你所购买的同款SSD符合测试的性能，请根据自己的需求与理解阅读。

测试前：在此之前，SL700 拯救者是以PS5007+MLC的组合做宣传，但是早期的PS5007+MLC的组合由于固件优化问题，在温度超过60度之后会出现速度变成0的问题，而自带的散热壳效果并不佳。故此将加入良好散热（配套马甲有风扇直吹）与常规散热（配套马甲正常空气气流）对照组，探究更换方案之后的SL700拯救者是否解决了散热问题。
测试方法：SL700拯救者在玩家定位中隶属于较有性价比的中端固态，其特性为良好的读写能力以及在混合负载中能够保证较高的响应速度，本次测试采用传统软件跑分与Txbench混合多模式跑分以测试其性能。
空盘状态下：CrystalDiskMark 5.0.3 16GASSSD 2.0.6821.41776 10GHDTUNE 温度测试良好散热与常规散热CDI/ASSSD性能对比
（良好散热）0%盘下：95%顺序读取（写入）/5%随机写入（读取）（模拟系统盘下读写大型数据）50%随机（顺序）读取/50%随机（顺序）写入（模拟非系统盘内数据读写）80%顺序读取/20%顺序写入（模拟常见大型数据读写）60%顺序写入/40%随机写入（模拟混合写入队列）
（良好散热）85%满盘下：95%顺序读取（写入）/5%随机写入（读取）（模拟系统盘下读写大型数据）50%随机（顺序）读取/50%随机（顺序）写入（模拟非系统盘内数据读写）80%顺序读取/20%顺序写入（模拟非系统盘间数据读写）60%顺序写入/40%随机写入（常见大型数据读写）
（常规散热）0%盘下：95%顺序读取（写入）/5%随机写入（读取）（模拟系统盘下读写大型数据）50%随机（顺序）读取/50%随机（顺序）写入（模拟非系统盘内数据读写）80%顺序读取/20%顺序写入（模拟常见大型数据读写）60%顺序写入/40%随机写入（模拟混合写入队列）
（常规散热）85%满盘下：95%顺序读取（写入）/5%随机写入（读取）（模拟系统盘下读写大型数据）50%随机（顺序）读取/50%随机（顺序）写入（模拟非系统盘内数据读写）80%顺序读取/20%顺序写入（模拟非系统盘间数据读写）60%顺序写入/40%随机写入（常见大型数据读写）
100%满盘后GC时CrystalDiskMark 5.0.3 16GASSSD 2.0.6821.41776 10G
HDTUNE SLC cache测试*所有混合队列读写任务使用QD8，模拟日常系统使用的队列深度
测试平台：CPU：intel Xeon E5-2630L V3主板：微星X99A SLI PLUS显卡：昂达 GTX1050Ti内存：镁光Ballstix Sport DDR4 8G*4 2400系统盘：金士顿 SSDNOW! V200 64G电源：振华GX1000系统：Windows 10 1803 （关闭网络）

空盘状态下：

良好散热


常规散热

ASSSD可用作测试SSD高队列下的写入性能，部分针对性优化的主控分数表现会显得非常好。从整体测试看来，SL700的读写速度基本达到标称速度，而4K速度也非常好看，基本达到了主流NVMe的性能。不过4K低队列的速度则一般。


良好散热
常规散热

CrystalDiskMark可以很好反映SSD的最大读写速度，从测试看来，与标称结果基本无差。而其他数值情况与ASSSD类似。



对比常规散热与良好（加强）散热的值，可以发现在常规散热下，读写速度基本与加强散热无差，虽然有几项跑分有落后，但也不排除是因为读写测试环境的不定因素，亦或者是软件的测试压力不足以测试出差距。






通过HDTUNE高强度的压力测试，最终让常规散热下的SSD达到了77度，此时测试速度曲线也因为过热的问题出现了变化。
总结下来，过热掉速表如下图。

可见相比于老版的PS5007，至少解决了过热掉速为0的问题。

（良好散热）0%盘下：



95%顺序读取/5%随机写入模拟的是系统盘进行大规模读取时系统所能留有的冗余运作空间。可以看到空盘的SL700读取与写入速度会出现一个诡异的缓步下跌状态，写入速度虽然波幅不大，但是速度极慢，只有0.25MB/s。



95%顺序写入/5%随机读取模拟的是系统盘进行大规模写入时系统所能留有的冗余运作空间。在小幅随机读取的状态下，SL700能提供35MB/s左右的顺序写入速度，而此时仅5%的随机读取竟有1100MB/s，可见其主控调教更偏向于读取。



50%顺序读取/50%顺序写入模拟的是非系统盘内进行的读写操作。SL700 512G平均读写速度在1100MB/s左右，振幅在10%左右。



50%随机读取/50%随机写入模拟的是非系统盘内进行的读写操作。SL700 512G平均读写速度基本可以达到130MB/s。



80%顺序读取/20%顺序写入模拟的是常见大型数据的读写操作。空盘下的SL700 512G速度较为缓和，主控并没有因为TLC的原因出现不可控的波幅（写入量已超过SLC Cache）。



60%顺序写入/40%随机写入模拟的不常见的大规模混合写入，比如一些下载，缓存队列等。SL700 512G并无大问题。


（良好散热）85%满盘下：



95%顺序读取/5%随机写入下接近满盘后的SL700读取速度在初期竟然不再出现不稳定状态，但在最终出现了大幅波动。写入速度稍微有提升，但基本也在范围波动内。



95%顺序写入/5%随机读取下满盘后的SL700读写速度波幅都非常大，甚至能在延时上看到高开低走，低开高走的图像，但读写速度相比于空盘都有一个极大的增幅，怀疑满盘下主控可能做了某些缓存操作，提高读写速度（不一定准确，也极有可能是测试错误）。



50%顺序读取/50%顺序写入下读写速度出现明显悬崖图像，读写速度大幅下跌。相比于空盘状态即使超出SLC Cache依旧大幅读写的状态，这个图象有点奇怪，而翻看延时，也出现了比较明显的增幅（读取基本是10倍级），虽然是旗舰主控，但是还是没法解决TLC的弊端。



50%随机读取/50%随机写入下相比于空盘的稳定130MB/s，85%满盘后的SL700速率下降了一倍，只剩60MB/s左右。



80%顺序读取/20%顺序写入下依旧不稳定，且延时暴增



60%顺序写入/40%随机写入下，混合读写出现了近3倍的差距，硬盘已不适应高强度写入。


（常规散热）0%盘下：



95%顺序读取/5%随机写入下常规散热下可以看到，由于读写强度的增加，硬盘很快初级第一级温度墙，速度出现明显陡崖，而在最后可能触发了第二级温度墙，但此时记录已经结束。常规散热下高强度下读写基本有20-30%的性能衰减。



95%顺序写入/5%随机读取下SL700仅触发了第一层温度墙，似乎说明这个主控真的全心全意做好读取工作？（所以读取时发热大？）



50%顺序读取/50%顺序写入下混合读写队列速度依旧出现下跌，跌幅在40%以上。



50%随机读取/50%随机写入下这是唯一一项与加强散热结果类似的跑分，也许又指向了一个有趣的事情，顺序读取是发热大头？



80%顺序读取/20%顺序写入下读写速度跌幅相比于良好散热都在50%左右。



60%顺序写入/40%随机写入下，虽然写入速度有三倍差距，但是波幅不明显，可能由于内部缓存机制而出现的速度测量误差。


（常规散热）85%满盘下：



95%顺序读取/5%随机写入下接近满盘后的SL700和良好散热类似，只不过受限于第三级温度墙问题，速度出现进一步下跌。



95%顺序写入/5%随机读取下双重压力，阿伟死了



50%顺序读取/50%顺序写入下‘速度已经跌入谷底



50%随机读取/50%随机写入下其实可以看到初期速度比较低，但是中后测试时速度回到了良好散热类似的速度，阿伟活了？



80%顺序读取/20%顺序写入下测试出现了归0现象，既硬盘失去响应。（阿伟又死了）



60%顺序写入/40%随机写入下，“如果早知道会这样发热，我绝对不会，让你跑测试。”（豪 俊 金 曲）


以上小结：


良好散热


常规散热

（良好散热）100%满盘后GC时：



HDTUNE SLC cache测试


SL700 512G采用了15GB左右的SLC-Cache缓存容量，在超出了SLC-Cache之后，SL700的读取速度维持在600MB/s左右。



总结：

相比于老款的PS5007+MLC，新款的PS5012+TLC方案，至少在使用方面上简单解决了温度过高之后写入速度跌为0的问题，不过主控升级颗粒降级的好坏只能由时间来证明。
实际上，不少人把这块硬盘作为笔记本的主力硬盘，毫无疑问，笔记本上的环境会比台式机开放环境差很多，而PS5012+TLC这个方案相比于老方案能提高多少使用体验，只能看使用者如何做好散热问题。桌面平台基本该怎么用还是怎么用。无论是过热后的性能，还是正常使用的性能，新的SL700基本满足了“能够使用”的需求，而你实际的体验可能就和CPU睿频一样，看你散热做的多好了。只要做好散热，抛开颗粒本身，高端的主控还是可以带来不错的体验的。
但如果要算上颗粒的不定性……那一切又变得不好说了（更关键的是，我又多了一个TLC固态QAQ）。

ddd111222

这个跑全盘的话应该是有第二次降速的，

yuren777

对于联想固态而言，革命尚未成功，同志仍需努力！

200birds

为什么512G的固态用256M的缓存啊，以前只见过256G用512M缓存的，缓存：闪存小于1:10的第一次见啊，不知道是不是节约成本

我家智天用w8

200birds 发表于 2019-3-12 11:32
为什么512G的固态用256M的缓存啊，以前只见过256G用512M缓存的，缓存：闪存小于1:10的第一次见啊，不知道是 ...

不太清楚，但以前这种规格不是很常见嘛？660P也有这样的。

lxmonarch

对于联想固态而言，革命尚未成功，同志仍需努力！

wq1310699368

这固态也就是从群联那买盘然后加个散热器贴牌？

syaopen

上了nvme感觉整个电脑会飞了

夜幕苍山

表示我是去年双十一的样子买的，主控相同，但是缓存是海力士的H5AN4G8NBJR-UHC，查了下是512M的DDR4颗粒，4K成绩比你的要高- -可能又换方案了吧，生产日期是18年10月的样子，印象中HD TUNE跑了20G的测试没有掉过速- -

我家智天用w8

夜幕苍山 发表于 2019-3-20 15:31
表示我是去年双十一的样子买的，主控相同，但是缓存是海力士的H5AN4G8NBJR-UHC，查了下是512M的DDR4颗粒，4 ...

群联主控采用压缩算法，只有写入数据是不可压缩的，原型才会暴露

bbm68

够专业，好详细的评测资料

gerry503

这个就是群联公版方案，联想加了个壳

winnercong

200birds 发表于 2019-3-12 11:32
为什么512G的固态用256M的缓存啊，以前只见过256G用512M缓存的，缓存：闪存小于1:10的第一次见啊，不知道是 ...

PS3111才内置32M缓存呢，速度比2258xt和88nv1120快多了

13815080809

这还要算吗？楼主。512GB的固态硬盘 就2个闪存颗粒，单颗是256GB的闪存颗粒:sweat:

我家智天用w8

13815080809 发表于 2019-4-3 23:29
这还要算吗？楼主。512GB的固态硬盘 就2个闪存颗粒，单颗是256GB的闪存颗粒 ...

举个例子，MX300 750G用八颗颗粒，一般人想都不想是512Gb MLC 转768Gb TLC，没问题。那MX300 525G呢？蒙蔽了，不知道怎么回事了。好降低点难度，镁光1100 512G用了四颗颗粒呢？也是想都不想1024Gb四颗512G，殊不知镁光1100和MX300 525G是一个方案，也就是三颗1152Gb+一颗768Gb组成528G容量的方案。更不提MX300 1050G和MX300 2050G了，2T版的甚至混入了三个版本的颗粒（没记错应该是3Tb*4+1152Gb*3+768Gb）。好了再回来，840 EVO 750G也是八颗颗粒，840 EVO是TLC，吃一堑长一智，八颗是768Gb*8吧？哈哈，是1024Gb*4+512Gb*4。850PRO 1T是八颗颗粒，这次给你点提示，里面有两种颗粒，标称是128GB和256GB，这次会搭配了吧，毕竟850PRO MLC，可能留点冗余就128G*7+256G组成1280G吧，哈哈，也是错的，850PRO初代V-NAND是通过TLC转MLC的方式实现MLC运行，也就是128G代指的是TLC的容量，MLC实际只有86G，也就是86G*4+172G*4=1032G。不要以为这种操作是现代固态厂商特有的操作，从以前就早有了，再举个例子。intel 320 80G使用了十颗颗粒。MLC那么单纯时代，肯定是一颗64Gb吧？实际却是64Gb*9+128Gb组成88G的容量。

例子无穷无尽，如果单纯只用颗粒数容量数猜测颗粒容量，属实太不严谨啦。当然东芝目前我还没看到这种操作，不也是为了避免他也做这种操作嘛？毕竟闪迪干过，而闪迪和东芝有一腿，一颗没有任何原厂的颗粒，谁又能打保票？

十一查身份证

天呢 群联居然用过打磨芯片 lz又改变了世界

winnercong

这个跟海康C2000一样，楼主怕不知道东芝是群联的股东吧