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[SMI] SM2258H对1G缓存的支持问题求助!(已解决)

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发表于 2020-4-27 21:59:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
某老板发来2块开不出来的58H固态,让我研究研究。



一块58H+2v23;一块58H+三星DUG。



今天晚上先搞三星的这块。

问题是开卡卡pretest。

到手后就是一顿瞎J8测试,最终找到症结:

缓存是D9SWC,是1G的缓存,但做dram test的时候,设置成512M能过,设置成1G就死循环。
设置成512M,可以正常开512G




读写也是正常的,说明颗粒没问题,所以问题就定位在缓存上了。



手里有一颗D9STQ,也是1G的缓存(不知道和D9SWC啥区别:titter:),然后把方老板板子上的拆掉,准备换上我这颗D9STQ。



这是焊盘,少画的2个点应该是空焊盘。


搞上



结果发现问题一样,也是512能过,1G过不了。



报着试试看的态度,把方老板板子上原来的D9SWC,换到一块46en板子上




结果……



测1G dram又神奇的过了,看来缓存也没问题,到这里我就为难了,难道是板子支持问题?


方老板发来一张图,是其它人双贴DUG开1T的成品图


不过这个不是58H,而是58G,难道这两种主控对dram支持不一样?


正好我手里也有一块58G的板子,然后把D9SWC再换到58G上




结果还是512能过,1G过不了。


手里也没有其它的1G颗粒了,只能到此作罢。折腾半晚上,啥结果也没有。:sad:

在此求助坛友,这个问题怎么来分析?


2020.4.29更新    问题已解决



首先说1G缓存在58H板子上跑DRAM TEST的问题

58H某些开卡包的DRAM测试的bin文件有问题,比如Q0719A,只能测试通过512M,1G的测不过。
拿其它版本就可能测过了,于是把能测过的版本里的DRAMSET.bin文件,替换Q0719A里的同名文件后,也能测过。


再说双贴这个颗粒的开卡问题

SM2258AB_MPQ0719A_FWQ0621A_SamsungSM2258AB_MPQ0719A_FWQ0823B_K90MGY8S7M这两个三星3Dv3的包,开双贴的这个颗粒开不出来,要么run isp fail,要么卡Check ISP Running,总之就是固件运行不起来。

换SM2258AB_MPQ0720A_FWQ0807A后,开卡正常。




跑圈正常



完结!


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发表于 2020-4-27 22:13:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 zhuyimin 于 2020-4-27 22:28 编辑

D9STQ  MT41K512M16HA-125:A 和D9SWC MT41K512M16HA-125 AIT:A都是1.35V内存,试试把板子1.5V改1.35V跑测试。如果之前板子是1.35V就当我没说。
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 楼主| 发表于 2020-4-27 22:51:54 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
zhuyimin 发表于 2020-4-27 22:13
D9STQ  MT41K512M16HA-125:A 和D9SWC MT41K512M16HA-125 AIT:A都是1.35V内存,试试把板子1.5V改1.35V跑测试 ...

跟电压应该没关系,在58h上是1.52v测1G不过,在46en上也是1.52v就过了
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发表于 2020-4-27 23:16:26 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
低电压颗粒,一般上标准电压没问题,反过来就可能不行(仅针对正常成品内存条)

不过根据实际颗粒供电调节输出电压是最好的,只要改一颗电阻就可以了

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发表于 2020-4-27 23:31:33 | 显示全部楼层
fanallen 发表于 2020-4-27 22:51
跟电压应该没关系,在58h上是1.52v测1G不过,在46en上也是1.52v就过了

电压和频率有关,为了达到最好效果还是修改下电压吧。
矽力杰降压电压计算  Vout=0.6*(1+R1/R2)
1.35V计算     1.25=R1/R2=59K/47K
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 楼主| 发表于 2020-4-27 23:43:51 | 显示全部楼层
zhuyimin 发表于 2020-4-27 23:31
电压和频率有关,为了达到最好效果还是修改下电压吧。
矽力杰降压电压计算  Vout=0.6*(1+R1/R2)
1.35V计算 ...

我抽空找找有没有合适的电阻改电压。
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发表于 2020-4-28 00:11:45 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
大佬专治疑难杂症啊:titter:
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发表于 2020-4-28 00:15:51 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
2258h只有两个s,也就是说最多支持两个内存,如果其中一个内存是双晶的,那么只能支持一半容量,通俗点讲就是单晶的支持2片,双晶的支持一片,如果是两个双晶的,只能支持一个双晶或者两个双晶的支持一半容量,有些板子单颗粒不支持双晶的,那么1g的只能开一半容量512m用,
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发表于 2020-4-28 01:52:49 | 显示全部楼层
2258G和2258H还是有点区别的 具体好像是在对容量的支持和缓存上有所不同
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发表于 2020-4-28 07:31:41 | 显示全部楼层
找不到原因的,就是板子挂了。直接搬板吧。
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发表于 2020-4-28 09:07:23 | 显示全部楼层
角落偷看大神发挥!
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 楼主| 发表于 2020-4-28 09:34:33 | 显示全部楼层
woxinsilin 发表于 2020-4-28 00:15
2258h只有两个s,也就是说最多支持两个内存,如果其中一个内存是双晶的,那么只能支持一半容量,通俗点讲就 ...

D9STQ确定是单晶1G的,但焊上之后,也是只能用512M,难道这块板子只认半晶?:titter:
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 楼主| 发表于 2020-4-28 09:35:16 | 显示全部楼层
sattr1 发表于 2020-4-28 00:11
大佬专治疑难杂症啊

克服了难关,对大家来说就是福利:biggrin:
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发表于 2020-4-28 09:36:53 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
我也遇到过这个情况,不过我是58h的u盘板
缓存d9qns,刚到手跑了一下dram test没能过就确认了(没注意改容量),然后后面调到1g跑就和你一样的情况
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发表于 2020-4-28 10:16:56 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
ナイトメア 发表于 2020-4-28 09:36
我也遇到过这个情况,不过我是58h的u盘板
缓存d9qns,刚到手跑了一下dram test没能过就确认了(没注意改容 ...

打错字了。。。是“dram test能过就确认了”
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发表于 2020-4-28 10:16:56 | 显示全部楼层
同群友~再给你点信息
1/能测试缓存的我知道的工具,有三星/东芝bics3/海力士3DV4,三星的和海力士的只能测过单晶512MB。东芝的可以测过单晶1G,前提是需要上颗粒并auto出颗粒。这些是在4贴152的58H测试架测出来的。
2/双152焊盘的58HU盘板子是支持双晶的,所以支持K4B8G这种DDR。
3/硬件一样,三星海力士测不过,东芝测过了,我判断是软件版本的问题。
4/三星现在放出的有Q0621(开K9OKGY8S7M)/719/720,海力士R0104(同时也可以开三星3D颗粒),这几个都试过了,测不过单晶1G。

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发表于 2020-4-28 15:05:10 | 显示全部楼层
这个是固件的问题,719版本固件无解暂时。
那个DRAM文件只能认到512M
单晶1G的之前我试过不行
用双512缓存的可以成功开1T容量

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发表于 2020-4-28 15:29:24 | 显示全部楼层
woxinsilin 发表于 2020-4-28 00:15
2258h只有两个s,也就是说最多支持两个内存,如果其中一个内存是双晶的,那么只能支持一半容量,通俗点讲就 ...

这是低电压的缓存?
1.35v
换一个1.5的上去
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发表于 2020-4-28 20:18:25 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
用双晶1g
ddr3 96
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 楼主| 发表于 2020-4-28 23:26:14 | 显示全部楼层
绵1992 发表于 2020-4-28 10:16
同群友~再给你点信息
1/能测试缓存的我知道的工具,有三星/东芝bics3/海力士3DV4,三星的和海力士的只能测 ...

有道理,我用其它版本,有能把1G测过的,然后我把dramset文件考到Q0719A里替换原来的bin文件,现在1G dram test也能过了,但还没开出来。
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