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有没有大佬能帮忙解答几个问题,有些问题确实很难回答,但是还是请大佬能帮个帮回答一下,
1,2246XT,资料上写有内置384K缓存,2246en也能用2246XT开,外置DDR是隐射缓存,是不是2246EN也有内置384K的缓存
2,2258XT和2259XT到底是什么关系,主控板都是一样的,那肯定是PIN to PIN了,只不过一个支持TLC,一个支持QLC,慧荣将来会不会将来统一型号,让这个主控同时支持TLC和QLC3,固态量产的冗余到底是怎么算的,为什么许多厂家会量产128G,256G,512G的容量,坏块产生是不是固件自动把使用中产生的坏块屏蔽出来,128G的颗粒开120G,是不是8G就是专门用来保留替换的
4,TLC有的颗粒生产厂家,TLC颗粒中就带有SLC部分,所以TLC颗粒开SLC模式,如果不超过自带SLC部分,磨损还是很小的,哪些厂家生产的TLC颗粒自带SLC部分,
5,东芝联合群联的主控,其固件把冗余部分当做SLC缓冲区,所以东芝的许多NVME盘写入稳定不掉速,西数的SN550没有外置的映射缓存为什么能够缓外不掉速,是主控的算力强劲还是算法的厉害
6,重点来了,到底黑片是怎么分类的(此文章黑片包含打标片,白片等杂七杂八颗粒),看过颗粒的晶圆,黑片到底是怎么定义的,如果那些所谓的黑片,跑RDT之后标注坏块点,然后量产跑圈能过,能正常使用,能不能算黑片,如果说坏块过多,那么低等级的大S算不算黑片(MLC的不算,因为MLC的颗粒一般也算是很稳定),如果黑片是那种质量不好的容易产生坏块的,那现代漏电王,就算是原厂打标测试完整的算不算黑片,就像是大S算是比较良心了,按照标准60%可用容量的颗粒如果只用60%,是不是就不算黑片。7,市面上咱们大家所说的黑片大量泛滥,和毁容的2258XT是脱不了关系的,Q,R版本的固件大量颗粒支持,到了S版本的固件就更夸张了,CE0的第一片颗粒坏块过多,大家都知道,许多情况下是不能量产的,或者量产成功也不能格式化的,到了S版本也就是2019版本的固件TOSP颗粒坏块过多的情况下居然能量产过,能正常使用(不要怀疑本人量产2258XT的技术)。慧荣对于坏块过多的颗粒支持一直在努力,从未有过放弃。请问一下大佬为什么慧荣2258XT对于温度特别的敏感,加了到热帖效果就特别的好,为什么2258XT的SLC回收策略就非常的慢,很不积极,哪些版本回收的策略很积极,很快
8,2258H会把冗余部分全部做成SLC,所以不掉速,如果冗余很大,3D MLC开TLC模式,量产过后肯定是不掉速的,有没有哪个版本的2258XT使用这个策略
9,说道黑片,本人把INTEL的第一代QLC N18颗粒,绝对稳坐黑片铁王座,无论是不是原厂的,或者660P的固态就是黑片,这个观点不接受反驳,INTEL的第一代QLC 随便跑个圈都能产生坏块,N18颗粒跑过几次圈,或者跑一次圈都会坏了,只能重新降容重新量产!
求大佬能否帮小白解释这些疑问
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