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[闪存] 也说U盘存储芯片的技术发展(SLC.MLC.TLC.QLC等)

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发表于 2020-5-23 15:07:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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也说U盘存储芯片的技术发展(SLC.MLC TLC QLC等)

现在技术越来越高!

从SLC  只表面一层记录数据    (单一的记录电压0-0.21V)  速度最快,寿命最长(同样工艺条件下)
到 MLC  2-3层记录数据       (垂直记录!不同记录电压0-0.07-0.14-0.21V)    3倍的容量,但速度下来啦!

再到TLC    4-7层记录数据 (多个记录电压0-0.03-0.06-0.09-0.12-0.15-0.18-0.21)  4-7倍的容量!

现在应用的QLC  十几层记录数据,以前的几个G用的芯片可做到128G  256G 512G,甚至1T,2T

为了兼顾容量和速度,有些厂商采用两种不同的模式,如128G的前24G用MLC,后104G用QLC。即保证前24G 使用系统运行的速度,又保证后104G存储的容量!



现在世界最高水平是256层!
我们能设计出来,但由于光刻机不行,只能使用价格为7200万美元1台的4代机做出量产128层的!!!!!(2020年4月)
我们用了22年时间也没有做出5代光刻机,荷兰人说把图纸给你也做不出来!没有高级技工,高工艺水平和高精度控制。
后来改变思路,提高紫光频率,采用双光源控制精度,现在六代机样机已出来了!但只能小面积实现,大尺寸的硅片还不行!
有人说买吧!!!!有钱人家也不卖给你!
2018年钱都给了(1亿个欧),由于美国的阻挠,到现在5代光刻机也没有给发货!
国际上五代改进机也出来了2纳米!

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