瑞萨电子扩展超低功耗嵌入式控制器RE产品家族

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来源：eefocus

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布，扩展其超低功耗嵌入式控制器 RE 产品家族，推出采用瑞萨突破性的 SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺、基于 Arm® Cortex®-M0+内核构建的新品。该 RE01 群最新成员搭载 256KB 闪存，区别于已量产、集成了 1.5MB 闪存的现有产品。该全新控制器具备最小 3.16mm x 2.88mm WLBGA 封装尺寸，且针对用于传感器控制的更紧凑的物联网设备的产品设计进行了优化，适用于智能家居、智能楼宇、环境感测、（建筑物 / 桥梁）结构监测、跟踪器和可穿戴设备等应用。

新款嵌入式控制器在 EEMBC® ULPMarkTM-CoreProfile（CP）认证中获得 705 分，充分验证了其领先能源效率（注 1）。凭借瑞萨独有的 SOTB 制程工艺，可极大降低运行及待机电流消耗，才能取得如此高评分。



瑞萨电子高级副总裁、物联网及基础设施事业本部 SoC 事业部负责人新田启人表示：“我们对 RE 家族产品的超低功耗获得官方认证感到非常荣幸，并希望以此推动 RE 产品家族得到更广泛的应用，延长嵌入式设备的电池寿命，并减轻更多客户在电池维护方面的负担。”



该新产品的电流消耗在工作状态下可低至 25μA/MHz，待机状态下可低至 400nA，其超低功耗在全球处于领先地位。用户可通过瑞萨超低 Iq ISL9123 作为外部降压稳压器，将工作电流消耗进一步降低至 12μA/MHz。



RE 具有超低功耗，可显著延长嵌入式设备的电池寿命。它们还适用于需要多个传感器的实时数据处理应用，即使由低电流紧凑型电池或能量采集设备供电也能高速运行。当前市场上具有 1.5MB 闪存的 RE MCU 适合需要大存储容量的应用，例如图像数据处理或无线更新固件等。而全新 RE01 产品群非常适合紧凑型设备和用于传感器控制的物联网设备。



全新 RE01 产品群 R7F0E01182xxx 的关键特性：



Arm Cortex®-M0+内核，最大工作频率 64MHz


256KB 闪存和 128KB SRAM


工作电流：25µA/MHz（使用片上 LDO 时），12µA/MHz（使用外部 DC/DC 转换器时）


软件待机状态消耗电流：400nA


工作电压范围：1.62V ~ 3.6V；从 1.62V 开始，最高可达 64MHz 高速运行


封装规格：约 3mm x 3mm 72 引脚 WLBGA、7mm x 7mm 56 引脚 QFN、14mm x 14mm 100 引脚和 10mm x 10mm 64 引脚 LQFP


片上能量采集控制电路（快速启动电容器充电、二次电池充电保护功能）


约 4µA 超低功耗和 14 位 A/D 转换器


支持闪存编程，功耗约为 0.6mA


使用 TSIP 内核的强大安全功能


深度待机模式下，实时时钟可持续工作，1.8V 供电时消耗电流为 380nA。


RE 产品家族开发环境

EK-RE01 256KB 评估套件可与用户系统结合使用，以评估包括能量采集系统在内的所有外围功能。该套件中的评估板包括 ISL9123 超低 Iq DC/DC 转换器，它能够测量 12μA/MHz 的极低工作电流。除了能量采集系统所需的能量采集元件接口和二次电池连接接口外，评估板还配备了可轻松扩展和评估传感器板的 Arduino 兼容接口，以及可轻松扩展并评估无线功能的 PmodTM 连接器。



兼容的开发工具包括支持 IAR C/C++编译器的 IAR Embedded Workbench® for Arm 和支持 GNU 编译器的 e2 studio，两款工具均可免费获得。此外，还提供支持 Arm Cortex 微控制器软件接口标准（CMSIS）的驱动程序软件，同时也可支持用于无法承受由驱动程序软件运行导致功率损耗的低功耗应用的低级示例代码。