认真讨论一下sf-2281的C3

丶陪妳看流星

我觉得2281的C3可能跟其他主控有区别，2281的c3跟01、c9和cc数值是相同的，有的时候只要发生读取，c3就增加，我查了相关评测，很多新ssd或者diy的slc ssd都会出现这样的情况，

https://www.upan.cc/ssd/pingce/2651.html
https://diy.pconline.com.cn/345/3458057_1.html
http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=1091394
https://www.upan.cc/ssd/pingce/2630.html

当然，也有的ssd c3就不会涨，比方说下面的几个

https://www.upan.cc/ssd/pingce/2835.html
https://diy.pconline.com.cn/cpu/reviews/1206/2844510_2.html
https://group.jd.com/thread/20000001/20013252/c20000004/p1.htm


不知道造成这种差距的原因是什么？固件问题吗？

125589

个人猜测读取时需要ecc矫正就会计数

丶陪妳看流星

125589 发表于 2020-8-9 19:55
个人猜测读取时需要ecc矫正就会计数

你没懂我的意思，一般是颗粒不行才需要ecc矫正的，但是新盘颗粒一般不会有问题，怎么会c3爆涨呢?

animefans_xj

丶陪妳看流星 发表于 2020-8-9 22:17
你没懂我的意思，一般是颗粒不行才需要ecc矫正的，但是新盘颗粒一般不会有问题，怎么会c3爆涨呢? ...

NAND即使新片也会出现读取出错的情况吧？除非很老的制程的SLC和MLC。

用SM2246开卡镁光或东芝15nm或20nm新片时，若参考原厂坏块得到坏块数A，参考RDT ECC TH=15得到坏块数B，参考RDT ECC TH=10得到坏块数C。

一般 A<=B<C，意即原厂未标记为坏块的块不意味不会出错。

丶陪妳看流星

animefans_xj 发表于 2020-8-10 10:03
NAND即使新片也会出现读取出错的情况吧？除非很老的制程的SLC和MLC。

用SM2246开卡镁光或东芝15nm或20nm ...

可是一发生读取c3就暴涨这明显很奇怪啊

qpzm1258

丶陪妳看流星 发表于 2020-8-10 16:19
可是一发生读取c3就暴涨这明显很奇怪啊

我觉得跟芯片体质和开卡设置都有关系，我有个46en用9ddl也是这样，ecc长得比较快。我自己用58xt贴两套uhl结果大致如下，较新的一批（写入不到1t，从马牌主控拆的，因该不是翻新）ecc基本不涨，另一批用了写入较多的ecc涨得比较快；同一批芯片，开100MHz（DDR200）几乎ecc涨得慢，开150MHz（DDR300）就会长得比较快，uhl这个晶圆得片特挑可以开到175MHz（DDR350）。

qpzm1258

丶陪妳看流星 发表于 2020-8-10 16:19
可是一发生读取c3就暴涨这明显很奇怪啊

而且c3涨的比较快得情况是在小文件读取，大文件连续读取几乎不涨

animefans_xj

丶陪妳看流星 发表于 2020-8-10 16:19
可是一发生读取c3就暴涨这明显很奇怪啊

2246玩多了表示正常。看这个帖子，都是新片

http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=1992926

jyb999888

qpzm1258 发表于 2020-8-10 20:01
而且c3涨的比较快得情况是在小文件读取，大文件连续读取几乎不涨

柬芝系列A15的MLC，都开不到 200mhz(DDR 400)吗？
若是柬芝系列的TOGGLE跟LEGACY，是否LEGACY还要调更低？166？150？133？

有哪些颗粒可以开到200MHZ(DDR 400)，比较推荐？

qpzm1258

jyb999888 发表于 2021-3-15 10:18
柬芝系列A15的MLC，都开不到 200mhz(DDR 400)吗？
若是柬芝系列的TOGGLE跟LEGACY，是否LEGACY还要调更低 ...

MLC没试过，15nm的TLC，THL按照58H的flashdatabase注明的就是就有正常的DDR200和DDR300两种，我自己试了超过350就会跑圈不过，至于频率这东西，亲测超频效果不明显，而且固态更重要的是稳定而不是性能，不像u一样蓝屏了最多重启

jyb999888

qpzm1258 发表于 2021-3-15 11:05
MLC没试过，15nm的TLC，THL按照58H的flashdatabase注明的就是就有正常的DDR200和DDR300两种，我自己试了 ...

DDL，手动指定到DDR 400，也开的过，碉实暴增很快，如果取消勾选频率跑在预设，增速会慢一点。
可是预设不勾选频率，不是就跑在原始DBF的原始频率，但是C3还是会长。
我没查到A15 MLC是多少DDR，应该同制程会等同DDR 300吧，我再试下。

7TH2TA20我碰过100mhz的，一直以为A15可以开很高，S11上开了很久，才想到设成100mhz:sweat:

频率跟4K比较明显，大档连读写差距很小。开100MHZ，速度就差很大了。

qpzm1258

jyb999888 发表于 2021-3-15 15:47
DDL，手动指定到DDR 400，也开的过，碉实暴增很快，如果取消勾选频率跑在预设，增速会慢一点。
可是预设不 ...

我只试过9DDLTA2D，这个似乎是非toggle，只能开DDR200，其他的没试过，而且即使开DDR200也c3奇高

jyb999888

Sandisk SSD PLUS 颗粒是 Sandisk,256Gbit,SDTNSGAMA-032G(Toggle)(4076)=45,3A,94,93,76,D1
结尾D1 TOGGLE颗粒，我也有结尾51的LEGACY，可是都可勾到DDR 400
但C3会长的就会长。玩二片闪迪，有的开了，就不会，真的是看脸:sweat:

qpzm1258

jyb999888 发表于 2021-3-15 17:51
Sandisk SSD PLUS 颗粒是 Sandisk,256Gbit,SDTNSGAMA-032G(Toggle)(4076)=45,3A,94,93,76,D1
结尾D1 TOGGLE ...

46跑15nm感觉还是有点吃力，高频跟颗粒有关，也跟板子走线有一定关系

527945545

读写数据肯定要ECC校验啊/这没毛病你要是传输数据中间如果接口接触不良 就会校验错误/然后计数入端对端错误或者重新映射错误

peratx233

可能类似希捷机械的SMART，C3只有高位才是真的C3，其余位数是读取的数据量