三星FinFET技术侵权案宣告和解：Intel此前已付钱

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　　FinFET（鳍式场效应晶体管）在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术，台积电甚至打算一路用到 3nm 时代。

　　不过，不为认知的是，三星在过去 4 年的时间内，深陷 FinFET 专利侵权案中，直到最近才了结。

　　官司的原告是韩国科学技术院（KAIST），其在 2001 年在美国和韩国提交了 FinFET 技术相关专利，由韩国科学技术院与首尔大学教授 Lee Jong-ho 合作开发。

　　2016 年 11 月 29 日的时候，韩国科学技术院在美国德克萨斯对三星、高通和格芯（GlobalFounderies）提起了 FinFET 专利侵权诉讼。据说，Intel 是乖乖交过了相关“保护费”。

　　2018 年 6 月和 2019 年 2 月，KAIST 先后两次起诉三星，声称后者生产的 7nm、8nm、10nm、11nm、14nm 手机应用处理器均涉侵权之列，要求 4 亿美元赔偿。今年 2 月，法院判令三星赔偿 2 亿美元。

　　目前该案已和解，和解细节不详。