重大突破！台积电有望在2024年量产2nm工艺芯片

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　　台积电在 2nm 半导体制造节点方面取得重大研究突破，有望在 2023 年中期进入 2nm 工艺试生产阶段，并在一年后开始批量生产。

　　目前，台积电的最新制造工艺是 5nm 工艺，已用于生产 A14 仿生芯片。

　　据介绍，台积电的 2nm 工艺将采用差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管，它是对先前 FinFET 设计的补充。

　　值得注意的是，这也是台积电第一次将 MBCFET 设计用于其晶体管。

　　台积电一位高管对外表示，“我们乐观预计 2023 年下半年风险试产收益率将达到 90%，这将有助于我们未来继续赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”。同时，他还提到，量产将于 2024 年开始。

　　台积电去年成立了 2nm 项目研发团队，寻找可行的发展路径。考虑到成本、设备兼容性、技术成熟度和性能等条件，2nm 采用了基于环绕门（GAA）工艺的 MBCFET。该结构解决了 FinFET 工艺收缩引起的电流控制泄漏的物理限制。