『转载』传感器与基带之谜揭晓！iPhone XS Max芯片级拆解

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在手机拆机届，最广为人知的是ifixit，但最可怕的，是Tech Insights。Tech Insights在9月17日就发布了iPhone XS Max的拆解，按照惯例，他们都是一边拆一边更新文章的。
终于到了9月24日，连着A12的细节、英特尔基带、一堆充电IC和传感器的拆解一起更新了：


A12：真·首发7nm的手机SoC
今年的A12型号APL1W81，在iPhone XS Max上，是和美光的4GB LPDDR4x内存堆叠在一起，后者型号MT53D512M64D4SB-046 XT:E。暂时Tech Insights拆解的美版A1921、澳洲版的A2097/A2101都是美光的内存。
A12芯片面积对比A11小了5%，为9.89 mm x 8.42 mm 83.27 mm2。面积最大的是2大核+4小核的CPU，其次是性能涨幅50%的新自研GPU，再往后就是新的8核NPU神经网络引擎了。要注意的是，苹果A系列芯片是外挂基带的，所以不会像高通那样在SoC解剖图上出现基带。

英特尔基带：成就史上信号最差的iPhone？

“万恶之源”？英特尔 PMB9955基带

往年高通基带的iPhone X都被人喷信号差，今年iPhone XS/XS Max系列更是变成了英特尔基带，还有双卡设计，我们实测的时候，确实也遇到了明显更为频繁的通话、4G、WiFi等断线问题。
这次的主要槽点源于英特尔 PMB9955基带，其真实型号应该就是英特尔XMM7560，这是英特尔自家支持CDMA的第五代LTE modem，而且应该也是英特尔首批用14nm制程的基带。额外要提一下的是，以前英特尔的基带是台积电代工，例如XMM7480（PMB9948）就是台积电的28nm制程。

英特尔射频收发器PMB5762

同样影响信号的射频收发器，同样是英特尔之手，这颗芯片是PMB5762。根据英特尔说法，它可以实现Cate 16的下行和Cat 15的上行速度。

多种电源管理IC：史上最猛快充

iPhone XS Max这个峰值跑20W的苹果史上最猛快充，其核心的电源管理IC包括了英特尔PMB6829，苹果338S00456、338S00375，德仪SN2600电池充电器 IC，意法半导体 STB601A0等等。
特殊的是，在iPhone XS上有Dialog的电源管理IC，但在iPhone XS Max上没有这颗IC。

新的大底传感器：没有全像素双核对焦iPhone XS Max相机CMOS图

iPhone XS/XS Max今年的传感器参数终于追上安卓主流，这个索尼堆栈传感器拆解的重点：没有全像素双核对焦，实锤不是IMX363/345的马甲了。其单位像素从1.22微米增长到了1.4微米，单位像素面积增长31.7%，而传感器尺寸比iPhone X上的大了23.8%。


传感器子像素放大图（注意绿色的对焦像素）

而对焦系统上，苹果从2014年的iPhone 6开始引入相位对焦，在2017年的iPhone X/8/8 Plus，把以前成对的对焦像素改成均匀平铺，而今年的iPhone XS/XS Max，对焦像素密度更高，且横竖密度不同（但实际上对焦速度变化不大），但密度和全像素双核对焦还有差距。实际体验上，今年的iPhone，对焦速度和弱光对焦能力，其实都和上一年分别不大。


5代iPhone 的对焦子像素对比

whseen

这个感光片应该用在GoPro7最合适，可以超景深拍照和急速对焦。

azhen

看不懂，太高端，没用过苹果

迈克老狼

知识点很多 值得学习