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求教mos管的驱动电压问题

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发表于 2021-5-12 09:36:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近设计电路要用到mos管,AO3400,GS最大电压是+-12V。
在有人说直接12V驱动会比较容易坏。10V比较保险。那11V左右呢?
发表于 2021-5-12 10:00:19 | 显示全部楼层
你用什么驱动?最好在栅极与地之间并一只9~10V的稳压管嵌位,防止电压波动过大损坏摸 死管。

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发表于 2021-5-12 10:00:48 | 显示全部楼层
能保证驱动电压不过冲,就12V内都不容易坏。
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发表于 2021-5-12 10:01:30 | 显示全部楼层
要保险点,搞5V也够了
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发表于 2021-5-12 10:15:26 | 显示全部楼层
怕就加稳压管,A03400用的都是小功率地方,估计也不会过压、、
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发表于 2021-5-12 10:33:30 | 显示全部楼层
GS最大电压才+-12V?一般都+-20V,看来是低开启电压

驱动电压直接用电阻分压就可以,稳压管一般用来防尖峰
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发表于 2021-5-12 10:40:18 | 显示全部楼层
驱动电压大小影响的是导通电阻,电压越低电阻越大。
如果电流不大又刚好有5V电源,直接用5V也可以。
下面曲线可以看到8V以后导通电阻变化不大了。


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 楼主| 发表于 2021-5-12 10:51:36 | 显示全部楼层
温力口 发表于 2021-5-12 10:00
你用什么驱动?最好在栅极与地之间并一只9~10V的稳压管嵌位,防止电压波动过大损坏摸 死管。 ...

MCU+三极管。你这种方式我知道的,关键就是想简化下电路。因为有很多路,体积又受限,所以能少1个元件就少1个元件
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 楼主| 发表于 2021-5-12 10:56:22 | 显示全部楼层
ljlun 发表于 2021-5-12 10:33
GS最大电压才+-12V?一般都+-20V,看来是低开启电压

驱动电压直接用电阻分压就可以,稳压管一般用来防尖峰 ...

需要控制的电源电压是12V,一开始确实用的电阻分压,但是由于体积受限需要尽量减少元件数量。所以在考虑能否不用电阻分压,在12V上串联一只二极管,这样Vgs大概在11V左右,这样是否安全?

如果这个想法可行的话可以减少2个元件
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 楼主| 发表于 2021-5-12 10:58:28 | 显示全部楼层
crazy0qwer 发表于 2021-5-12 10:40
驱动电压大小影响的是导通电阻,电压越低电阻越大。
如果电流不大又刚好有5V电源,直接用5V也可以。
下面曲 ...

应用场景没有5V电源,只有12和3.3。考虑到3.3有点低,电流2A左右的时候会发热,所以想的也是5V以上的驱动电压
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发表于 2021-5-12 11:15:44 | 显示全部楼层
lemontreenm 发表于 2021-5-12 10:56
需要控制的电源电压是12V,一开始确实用的电阻分压,但是由于体积受限需要尽量减少元件数量。所以在考虑 ...

电阻体积比二极管小多了,而且串二极管的电压应该只能小0.4~0.5V(电流小),而且串二极管后栅极没放电回路的
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发表于 2021-5-12 12:36:53 | 显示全部楼层
lemontreenm 发表于 2021-5-12 10:58
应用场景没有5V电源,只有12和3.3。考虑到3.3有点低,电流2A左右的时候会发热,所以想的也是5V以上的驱动 ...

那就看你怎么取舍了。12V已经是极限电压了,直接驱动风险比较大。
1、分压电阻或者并联稳压二极管,体积大一点,功耗大一点。
2、用3.3V驱动,功耗大一点。
3、换MOS管,成本大一点。

另外,直接串联一个二极管到栅极是不行的,因为MOS管栅极基本上没有电流,没有电流二极管就没有压降。
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发表于 2021-5-14 17:03:22 | 显示全部楼层
这样说吧,如果你要测RDS内阻,那么一般通常GS给10V就基本可以确定完全导通电阻了
至于10V11V工作电压,我感觉18V都没问题
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