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发表于 2019-5-28 11:10:41
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IGBT和MOSFET工作特性不一样,在考虑具体技术细节的情况下,可以用IGBT替代MOSFET.
需要考虑到的问题点:
1)电路的工作频率.IGBT工作频率低,一般25Khz是上限.如果电路工作频率超过IGBT频率上限(以具体管子数据手册为准),不能替换.
2)驱动电路的关断方式,MOSFET可以用零压关断,也可以用负压关断.IGBT只能用负压关断.如果电路驱动电路,只是零压关断,一般不能替代.
3)功率管并联.MOSFET是正温度特性,可以直接并联扩流,而IGBT是负温度特性,不能直接并联.如果电路是多个MOSFET并联使用,不能用IGBT简单替换.
4)电路是否需要开关器件续流二极管.MOSFET自带寄生二极管,IGBT则是另外加进去的.保险起见,只选择带续流二极管的IGBT.
5)IGBT输入电容,要和原电路MOSFET的输入电容接近.这只是考虑驱动电路的驱动能力,与MOSFET和IGBT特性无关.
6)对过流保护电路,IGBT要求更高.如果没有电路图的话,可以通过短路试验来确定能否替换.
对于常见的简单电路,考虑上述几个因素,就可以用符合功率耐压要求IGBT替代MOSFET.其他未考虑到的因素,请大神们补充指正. |
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