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硅谷初春的晨雾中,三星电子副会长郑贤豪的公务车悄然驶入英伟达园区。这位执掌万亿芯片帝国的掌门人,亲手将改良版1b DRAM晶圆样品摆在黄仁勋团队面前——这场价值千亿美元的AI芯片暗战,正随着HBM3E存储技术的突破进入白热化阶段。
此前三星的8层堆叠HBM3E因良率不足60%和热失控问题,始终未能通过英伟达严苛认证。尽管祭出「1c工艺直通HBM4」的弯道超车计划,但面对占据AI加速卡市场98%份额的英伟达,三星不得不调转船头重新打磨1b工艺。据韩媒披露,新版样品功耗降低15%,热管理性能提升20%,恰好命中大客户提出的核心痛点。
这场硅基世界的权力游戏里,存储芯片已成算力军备竞赛的关键弹药。SK海力士凭借稳定的HBM供应,独吞英伟达AI芯片80%的存储订单,而三星去年HBM市占率仅剩个位数。随着全球科技巨头数千亿美元的AI服务器订单陆续释放,拿下英伟达认证意味着每月数百万颗HBM芯片的稳定出货。
行业观察者注意到戏剧性转折:三星原计划跳过1b世代直攻1c工艺,却在英伟达技术团队的干预下重启1b产线。如今掌门人跨洋送样的举动,既彰显破釜沉舟的决心,也暴露出存储巨头罕见的焦虑感。若此次送样通过验证,三星苏州工厂的12英寸晶圆产线或将在三季度全面转向HBM生产。
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