三星2纳米制程进展顺利，2025年底量产在望？与台积电上演"纳米对决"

Meise

半导体行业的工艺竞赛向来充满戏剧性。过去数月里，三星芯片代工业务经历了多次波折：去年11月业界曾传出其3纳米全环绕栅极（GAA）技术因良率过低被迫放弃，随后传出转向2纳米研发的消息。如今最新动态显示，这家韩国企业与台积电的2纳米争夺战已进入关键阶段。

据韩国《朝鲜日报》近日报道，三星在华城工厂的2纳米工艺开发取得"平稳进展"，尽管当前良率仍在20%-30%区间，但内部预计未来数月将实现突破。与之形成对比的是，此前耗时三年研发的3纳米GAA技术始终未能达标。知情人士透露，全面升级的"S3"产线将于今年第四季度投产，为后续量产铺路。

值得注意的是，台积电现阶段似乎稍占上风。报道援引业内人士估算，这家中国台湾企业的2纳米良率已达60%。不过分析机构普遍认为，现在断言胜负为时尚早。三星近期在4纳米工艺上的表现或许能带来信心——该节点良率已提升至80%，较早期有明显改善。

产能竞赛背后是多方压力。消息称三星代工团队既要应对预算缩减，又面临高层制定的严格时间表。按照规划，搭载2纳米工艺的新一代Exynos旗舰移动处理器将在2025年底进入量产阶段。这场半导体双雄的较量，或将决定未来三年全球芯片市场的格局变迁。

哈哈牛

当前良率仍在20%-30%区间