银灿IS903混贴并量产

技术宅小唐 · 发表于 2019-6-28 01:43:05

分别从坏固态里面拆出了几片颗粒，料号分别是
29F64B08NCMFS 来源于金XX 固态拆出
29F64B08NCMF2 来源于intel S3500 拆出
29F64B08NCMFP 来源于intel S3710 拆出
顺便指明一下后打标和真标（双击图片放大）

其实后打标和真标很好区分出来的，数字4和字母M的区别一下就能看出来了
根据群里某些逼神说MFP料号是intel HTE 高耐久性闪存，号称比肩SLC的PE次数，但是让他证明出处却给我发个PCEVA的帖子:funk:
呃....
PCEVA，呵呵:titter:简直就是意淫NC的聚集地，什么玩意都能编出来，神奇的是居然有人会信，还有一堆小白吹捧...

言归正传：
我的903测试架能放两片闪存，混的64B08NCMFS和64B08NCMF2
关键信息都在图片里了（双击图片放大）

讲真的，我的USB3.0接口能量产IS903，而且是处于USB3.0模式下两产，主板是Z97
（如果拔插过，绿色PASS就会不见了的）
没有指定型号，完全是自动识别的、
ID最后一位的意思是啥？后打标颗粒居然会有HTE颗粒相同的ID？
说实话我还真不是很清楚料号最后第二位和第一位的区别，
比如ME1 ME2 ME3?
还有MG2 MG3 MG4?
再有MF1 MF2 MF3?
更有MFS MFP MFL？
来个大佬指点一下

fanallen · 发表于 2019-6-28 06:59:12

这都可以？？新姿势啊

sonic7216 · 发表于 2019-6-28 08:55:24

听说：1 2 3 是等级划分 1 最好 2 其次 3 最差这个等级包括不限于擦写次数温度等等

技术宅小唐 · 发表于 2019-6-28 11:32:43

sonic7216 发表于 2019-6-28 08:55
听说：1 2 3 是等级划分 1 最好 2 其次 3 最差这个等级包括不限于擦写次数温度等等 ...

我见过的后缀有1 2 3 4 S P L
倒数第二位有D E F G H I（猜测是制程？）

sonic7216 · 发表于 2019-6-28 13:12:03

本帖最后由 sonic7216 于 2019-6-28 13:13 编辑

搜了下老站，有intel nand 命名规则要是规则没变的话，的确倒数第二个是制程

perter · 发表于 2019-6-28 17:06:33

sonic7216 发表于 2019-6-28 08:55
听说：1 2 3 是等级划分 1 最好 2 其次 3 最差这个等级包括不限于擦写次数温度等等 ...

现在弄不到datasheet，即使弄到了貌似Intel对PE的说明也很模糊，在25纳米时代，TSOP和BGA的寿命都是有标明的，而且现在闪存LDPC和BCH下面的寿命又是不相同的

itbs · 发表于 2019-7-1 14:35:33

Intel的NAND part numbering信息少，综合着看吧

13815080809 · 发表于 2019-7-21 00:45:00

29F64B08NCMFS 这个型号的英特尔颗粒我也有一颗，不过拆自英特尔S3400 M.2 2280 120GB企业级固态上剩下3颗都是32G的

altair1003 · 发表于 2019-7-21 11:47:23

倒数第四位是C的话，按照楼上的规则，vccq就是1.8/1.2了，但是以前903的板子都贴了好多了，也没见出问题的

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