英特尔未来十年技术路线图被披露：2023年采用5nm 2029年升至1.4nm

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12月11日消息，据国外媒体报道，芯片巨头英特尔在10nm和7nm工艺方面，并未跟上竞争对手的节奏，其目前在芯片工艺方面也落后于台积电和三星。

不过在10nm和7nm方面落后于竞争对手的英特尔，对未来还是有着清晰的计划，其在未来10年的技术路线图已经被披露，将保持两年一次升级的节奏。

英特尔未来十年的技术路线图，是由光刻机厂商阿斯麦的首席技术官Martin van den Brink在国际电子器件大会上披露的，由IEEE（电气和电子工程师协会）所举办的这一大会在本周举行。

阿斯麦所披露的英特尔未来十年技术路线图显示，英特尔今年将开始采用10nm工艺，2020年是10++工艺，2021年则会推出10nm+++工艺。

10nm之后的7nm工艺将在2021年开始采用，7nm+和7nm++则会在随后的两年分别推出。对于7nm工艺，英特尔首席工程官兼技术、系统架构和客户部门总裁默西·伦杜琴塔拉(Murthy Renduchintala)在去年12月份曾透露，这一工艺是由一个独立的团队负责，他们将汲取在10nm工艺上的教训，打算按内部最初的计划量产7nm工艺，他们对7nm工艺的进展也非常满意。

技术路线图显示，7nm之后更先进的5nm、3nm、2nm和1.4nm，也已进入了英特尔的视野，其中5nm、3nm和2nm目前都处在路线发现阶段，分别计划在2023年、2025年和2027年采用，2029年拟推出的是1.4nm。

同10nm和7nm工艺一样，5nm、3nm和2nm工艺也会有升级版，将分别推出“+”和“++”工艺，均会在随后的两年推出。

就从ASML披露的技术路线图来看，在10nm和7nm工艺方面落后于台积电的英特尔，5nm和3nm工艺的采用时间，也将晚于台积电。台积电5nm工艺的良品率目前已经提升到了50%，预计明年一季度量产，3nm则是计划在2022年量产，均要早于英特尔3年。

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