1万亿次写入寿命 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%

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今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。

MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的有点。

三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储，扩展性非常好，在非易失性、随机访问、寿命耐久性等方面也远胜传统RAM。由于不需要在写入数据前进行擦除循环，eMRAM的写入速度可以达到eFlash的大约一千倍，而且电压、功耗低得多，待机状态下完全不会耗电，因此能效极高。

在8Mb eMRAM内存之后，三星最近已经开始生产1Gb容量的eMRAM内存，依然使用了28nm FD-SOI工艺，最新良率已经达到了90%，使得eMRAM内存实用性大大提升。

尽管1Gb的容量、性能依然远不如现在的内存及闪存，但是eMRAM内存超强的寿命、可靠性是其他产品不具备的，这款eMRAM内存在105°C高温下依然能够擦写1亿次，85°C高温下寿命高达100亿次。

如果不是那么苛刻的温度环境，而是日常使用环境，那么eMRAM内存的擦写次数高达1万亿次，已经没可能写死了。