全球晶圆代工建设情况梳理

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来源：eefocus

本文不包括 CIDM 和 VIDM 项目。

一、工艺制程篇
1、中芯国际  
2019 年第一季度，12nm 工艺开发进入客户导入阶段，第二代 FinFET N+1 研发取得突破，进度超过预期。

第二季度 14 纳米 FinFET 制程进入客户风险量产阶段，2019 年第四季实现小批量生产。第二代 FinFET N+1 技术平台已开始进入客户导入。

2、华虹集团
2019 年，华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举，构建集团核心竞争力。成熟工艺方面，65/55 纳米射频和 BCD 平台全球依靠；而在先进工艺方面，28 纳米（28LPC/28HK/28HKC+）成功量产；28 纳米高介电常数金属栅级工艺（28nm HKC+）研发进展顺利；22 纳米工艺发快速推进；14 纳米工艺也取得突破，工艺全线贯通，SRAM 良率达 25%。

3、华润微电子
华润微电子旗下代工平台华润上华在 BCD 工艺平台上，经过多年的积累，已开发出全系列分段式电压的 0.18µm BCD 工艺平台，配置 efuse、OTP、MTP，目前可提供 6 个电压段：7V-16V、18V-20V、24V-30V、35V-40V、40V-60V、80V-120V，并可提供 BJT、Poly 电阻、Zener、SBD 等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的 ESD 保护方案。据悉 90nm BCD 工艺已经进入研发阶段。

华润上华推出基于 0.18μm EN CMOS 的优化版 0.153μm 5V EN CMOS 工艺平台，优化后的工艺成本得到了大大的缩减，以 MCU 应用看，相较公司的 0.18μm 工艺节省成本约 30%；以音频功放应用看，华润上华的 0.153μm 5V EN CMOS 工艺的成本已优于同行水平。

另外，华润上华的 0.11μm ULL e-flash Logic 工艺达到业界水平。

4、台积电
4 月份推出 6 纳米(N6)制程技术，预计将在 2020 年实现量产，推出 6 纳米制程主要是为强化 7 纳米技术，提升效能 / 成本优势且加速产品上市时间。

7 纳米工艺+EUV 于 2019 年第 3 季量产。

12 月，5 纳米制程方面完成试产，工艺的良率达到 35%-40%，意味着 5nm 工艺良率爬坡很顺利，2020 年 7 月份正式进入大规模量产阶段。

5、联电
联电在 2019 年推出 28 纳米的微缩版 22 纳米 CMOS 工艺，相较联电的 28 纳米工艺上可减少约 10~15%的面积。

联电位于厦门的子公司联芯推出适用于 AMOLED 屏幕驱动的 28 纳米 eHV 和 40 纳米 eHV 工艺,以及适用于银行卡 /ETC 卡的 55 纳米工艺（55eNVM）。

6、三星
2019 年 4 月份开始进行大规模生产 7nm LPP EUV 工艺；随后推出 6LPP、5LPE 芯片，目前已经完成试制，2020 年上半年大规模生产。

7LPP 工艺终极版 4LPE 工艺 2019 年第四季度完成开发，在 2020 年完成首批芯片制造，大规模生产应该会在 2021 年。

二、产能扩张篇
1、中芯国际
1.1 中芯南方（12 英寸 14 纳米）
2019 年中芯南方集成电路制造有限公司 12 英寸 14 纳米生产线正式投产，标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步，顺利完成《推进纲要》的目标。。

2019 年第一季度，中芯南方 FinFET 工厂首台光刻机搬入，开始产能布建，已经具备月产能 3500 片规模。

2、华虹集团
2.1 华虹无锡（12 英寸）
2020 年 1 月 1 日举行首批功率器件晶圆投片仪式，并和无锡新洁能签约。华虹无锡的 IC+Power 战略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF 和 Power 等工艺平台陆续推出，可满足无锡绝大多数设计公司。

2019 年 5 月 24 日首台设备搬入，并举行了 HHFAB7 厂授牌仪式。2019 年 6 月 6 日华虹无锡集成电路研发和制造基地 12 英寸生线一期 3 台光刻机台搬入；2019 年 9 月 17 日试投片生产，标志着中国第一条 12 英寸 90 纳米 /55 纳米工艺的功率器件生产线投产。

华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约 700 亩，总投资 100 亿美元，一期项目总投资约 25 亿美元，新建一条工艺等级 90-65/55 纳米、月产能约 4 万片的 12 英寸特色工艺集成电路生产线，支持 5G 和物联网等新兴领域的应用。

2.2 华力二期（12 英寸）
自投产以来，上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）的产能迅速爬坡，2019 年第二季度达月产 10000 片，到第四季度装机产能达月产 20000 片。

上海华力集成电路制造有限公司（华力二期，HH FAB6）12 英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目，总投资 387 亿元人民币，建成月产能 4 万片的 12 英寸集成电路芯片生产线，工艺覆盖 28-14 纳米技术节点。项目计划于 2022 年底达产。

3、武汉新芯
2019 年武汉新芯二期扩产项目已经顺利投产，若顺利达产，武汉新芯月产能将达到 5 万片。

二期将紧抓物联网和 5G 运用的市场机遇，建设 NOR Flash（自主代码型）闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，根据规划，武汉新芯的 NOR Flash 闪存能力每个月扩充 8000 片，从月产能 1.2 万片扩至月产能 2 万片，微控制器每个月扩充 5000 片。

3、台积电
2019 年台积电总产能将微幅增加 2%，扩增至 1200 万片约当 12 英寸晶圆。其中，以 7 纳米产能增加最多，总产能将超过 100 万片规模，将增加 1.5 倍。

3.1 台积电南科 FAB18
台积电南科 Fab 18 工厂一期已经完成建设，5nm 工艺将于 2020 年 7 月量产，月产能达到 5.5 万片。

3.2 台积电南京 FAB16（12 英寸）
2019 年月产能提升为 15000 片，2020 年第一季达到 20000 片的规划产能。

2018 年 10 月 31 日，台积电正式对外宣布南京 12 英寸晶圆厂 FAB16 量产，提供 12 寸 16nm FinFET 晶圆代工业务。

4、联电
4.1 厦门联芯（12 英寸）
2019 年联芯集成一期满载月产能约为 25000 万片，实际产出每月 18000+片，2020 年将实施扩产。

5、合肥晶合（12 英寸）
2019 年底月产能达到 20000 片规模，较 2018 年 12 月扩增 1 倍。

2018 年，晶合以 110 纳米 -180 纳米工艺制造 LCD 驱动芯片。由于因为股权问题，和力晶陷入冷冻期，此后不再从力晶进行技转，而是自研 55 纳米工艺技术逻辑工艺，原计划 2019 年量产，目前看来较计划有所落后。

6、宁波中芯 N1（8 英寸）
2018 年 11 月 2 日正式投产，规划月产能 15000 万。

中芯集成电路（宁波）有限公司分为 N1（租用小港安居路现有厂房）与 N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。

7、中芯绍兴（8 英寸）
2019 年 6 月 19 日，主体工程结顶；9 月搬入工艺设备，10 月完成了 151 台套设备的安装调试，2109 年 11 月 16 日，中芯集成电路制造（绍兴）有限公司宣布 8 英寸生产线通线投片，2020 年 3 月正式量产。

中芯绍兴主要面向微机电和功率器件集成电路领域，专注于晶圆和模组代工，持续投入研发并致力于产业化。

8、三星代工（12 英寸 7 纳米 EVU）
2019 年 4 月，三星华城 7nm EUV 工厂的基础设施建设工作完成；目前已经完成装机工作；预计将于 2010 年一季度量产。

三、产能建设篇
1、济南泉芯（12 英寸）
泉芯集成 12 英寸晶圆制造线于 2019 年第一季度开工建设。目前到位资金约 50 亿。

泉芯集成 12 英寸晶圆制造线计划采用 12nm/7nm 的工艺节点。

2、无锡海辰（8 英寸）
2019 年 12 月 12 日，首批从韩国搬迁的工艺设备搬入海辰半导体厂房。

2019 年 2 月 27 日，海辰半导体新建 8 英寸非存储晶圆厂主厂房正式封顶。

2018 年 7 月 SK 海力士表示，旗下晶圆代工子公司 SK 海力士系统 IC 公司与无锡市政府旗下的无锡产业发展集团有限公司组成的合资公司，2018 年下半年启动工厂的建设。

3、宁波中芯 N2（8 英寸）
2019 年 2 月 28 日，中芯宁波特种工艺 N2 项目正式开工。规划月产能 30000 万。

N2 项目位于宁波市北仑区柴桥，项目用地面积 192 亩，建筑面积 20 万平方米，项目总投资 39.9 亿元，建设工期 2019 年 -2021 年，2019 年计划投资 5 亿元。

根据规划，N2 项目建成后将形成年产 33 万片 8 英寸特种工艺芯片产能，同期开发高压模拟、射频前端、特种半导体技术制造和设计服务。

4、赛莱克斯（8 英寸）
2019 年 12 月 25 日，赛莱克斯北京 8 英寸项目一期开始设备搬入，较原计划有所迟缓。

2018 年赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司继续完善核心管理及人才团队，推进 8 英寸 MEMS 国际代工线建设项目的建设，2018 年 11 月基础工程建设已部分封顶。项目规划分三期建设。

5、台积电
台积电大幅上调 2019 年的资本开支，从原定 110 亿美元增加到 150 亿美元，其中 25 亿美元用于 5nm 工艺扩产，15 亿美元用于 7nm 工艺扩产。南科 Fab 18 工厂二期工程规划 5.5 万片晶圆 / 月的产能，预计在 2021 年上半年准备就绪。

四、收购篇
1、积塔正式合并上海先进半导体
2019 年 1 月 2 日，积塔合并上海先进半导体得到国家市场监督总局批准；1 月 11 日，上海先进半导体股东会和 H 股独立股东类别大会同意由积塔以吸收合并的方式将上海先进半导体私有化。

2019 年 9 月 23 完成所有工商变更。


2、联电收购三重富士通

2019 年 10 月 1 日联电完成收购三重富士通半导体股份有限公司剩余 84.1%的股权，收购剩余股份最终的交易总金额为 544 亿日元；2014 年到 2015 年，联电分阶段逐步从和富士通半导体（FSL）手中取得三重富士通 15.9%的股权。到此一桩历时 5 年的 12 英寸厂收购案终于落地，也是联电时隔 7 年再度在日本布局代工产线。


三重富士通成为联华电子完全独资的子公司后，将更名为 United Semiconductor Japan Co.，Ltd.（USJC）。


三重富士通拥有两座 12 英寸厂房（B1、B2），分别于 2005 年 4 月和 2017 年 4 月投产，B1 厂采用 90nm 工艺；B2 厂初始采用 65nm 工艺，透过联华电子 40nm 技术的授权，2016 年初开始 40nm 商用生产，2016 年下半年 40nm 正式进入量产阶段；两个工厂合计月产能 35000 片。

3、世界先进收购格芯 FAB3E

2019 年 12 月 31 日，世界先进（VIS）和格芯半导体（GLOBALFOUNDRIES）已经完成格芯半导体位于新加坡淡宾尼（Tampines）的 8 英寸晶圆厂 Fab 3E 的交割，包括厂房、厂务设施、机器设备以及 MEMS 智财权与业务。


Fab 3E 现有月产能约 35000 片 8 英寸晶圆，预计 2020 年将为世界先进带来超过 15%的产能扩增。